-
Al2O3 ကြွေပြားချပ်ချပ် Chuck ၏ စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်း
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေပြား
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
၃၀၀ မီလီမီတာ ဝေဖာ လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် ၁၂ လက်မ အလူမီနာ ဖုန်စုပ်ချပ်
St.Cera ရဲ့ ၁၂ လက်မ ဖုန်စုပ်ချပ်ကို ၃၀၀ မီလီမီတာ ဝေဖာကိုင်တွယ်မှုအတွက် ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှုရှိတဲ့ အလူမီနာ (Al₂O₃) နဲ့ တိကျစွာတည်ဆောက်ထားပါတယ်။ ချပ်မှာ ၃၀၀ မီလီမီတာ အချင်းတစ်ခုလုံးမှာ ဖုန်စုပ်စက်ကို တစ်ပြေးညီဖြန့်ဝေပေးနိုင်အောင် ချောမွေ့တဲ့ မြောင်းမျက်နှာပြင် (မြောင်းအကျယ် ၀.၅–၁.၀ မီလီမီတာ၊ ထောင့် ၂–၃ မီလီမီတာ) ပါရှိပါတယ်။ ပြားချပ်မှုကို ၅ μm အတွင်း ထိန်းသိမ်းထားတာကြောင့် 깍둑썰기 လုပ်ခြင်း၊ နောက်ဘက်ကြိတ်ခွဲခြင်းနဲ့ စစ်ဆေးခြင်းတွေလုပ်တဲ့အခါ ဖုန်စုပ်စက်ကို ကွေးညွှတ်ခြင်းကင်းဝေးစေပါတယ်။ ပစ္စည်းရဲ့ မြင့်မားတဲ့ကွေးညွှတ်အား (၃၆၁ MPa) နဲ့ မာကျောမှု (၁၆ GPa) တို့က ဖုန်စုပ်စက်ဝန်းတွေ ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်တဲ့အခါမှာတောင် ရေရှည်အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို အာမခံပါတယ်။
-
ပေါင်းစပ်ထားသော ဖုန်စုပ်လမ်းကြောင်းများပါရှိသော အလူမီနာကြွေထည်အဆုံးအကျိုးသက်ရောက်ကိရိယာ
St.Cera ရဲ့ alumina ဖုန်စုပ်စက် end effector က တိကျစွာ စက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားတဲ့ ဖုန်စုပ်လမ်းကြောင်းတွေနဲ့ စုပ်ယူပေါက်တွေကို ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းတဲ့ alumina ကိုယ်ထည်ထဲကို တိုက်ရိုက် ပေါင်းစပ်ပေးပါတယ်။ ဒီဒီဇိုင်းက ပြင်ပဖုန်စုပ်ပြားတွေကို ဖယ်ရှားပေးပြီး wafer ကို တစ်ပြေးညီ ဆုပ်ကိုင်အားနဲ့ တိုက်ရိုက် ကောက်ယူနိုင်ပါတယ်။ ပစ္စည်းရဲ့ မြင့်မားတဲ့ ကွေးညွှတ်အား (၃၆၁ MPa) နဲ့ မာကျောမှု (၁၆ GPa) တို့က ဖုန်စုပ်စက်ဝန်းတွေအောက်မှာ ရေရှည် အတိုင်းအတာ တည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေပါတယ်။ pad ဧရိယာတစ်လျှောက် ပြားချပ်မှုကို ၁၀ μm အတွင်း ထိန်းသိမ်းထားတာကြောင့် wafer ဖိစီးမှုနဲ့ ကျိုးပဲ့မှုကို ကာကွယ်ပေးပါတယ်။ OEM စက်ရုပ်လက်တွေနဲ့ အလွယ်တကူ ပေါင်းစပ်အသုံးပြုနိုင်အောင် ဖုန်စုပ်ပေါက်တွေကို နောက်ဘက် mounting flange မှာ ထားရှိပါတယ်။
-
တည်ငြိမ်မှုထိခိုက်လွယ်သော ဝေဖာကိုင်တွယ်မှုအတွက် ESD-ဘေးကင်းသော အလူမီနာကြွေအစိတ်အပိုင်းများ
St.Cera ရဲ့ ESD (လျှပ်စစ်ဓာတ်အားထုတ်လွှတ်မှု) ဘေးကင်းတဲ့ အလူမီနာ ကြွေထည် အစိတ်အပိုင်းတွေကို ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းမှုရှိတဲ့ Al₂O₃ နဲ့ ထုတ်လုပ်ထားပြီး 10⁶–10⁹ Ω/sq ရဲ့ စိတ်ကြိုက် မျက်နှာပြင် ခုခံမှုရှိတဲ့ doping ဒါမှမဟုတ် coating လုပ်ငန်းစဉ်ကနေ ရရှိပါတယ်။ ဒီအစိတ်အပိုင်းတွေဟာ static charge ကို ထိရောက်စွာ ပျံ့နှံ့စေပြီး အာရုံခံနိုင်တဲ့ semiconductor wafers နဲ့ devices တွေကို electrostatic ပျက်စီးမှု မဖြစ်အောင် ကာကွယ်ပေးပါတယ်။ အခြေခံပစ္စည်းဟာ သူ့ရဲ့ မြင့်မားတဲ့ flexural strength (361 MPa)၊ hardness (16 GPa) နဲ့ dielectric strength (15×10⁶ V/m) တို့ကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါတယ်။ ESD ဘေးကင်းတဲ့ ကြွေထည် အစိတ်အပိုင်းတွေမှာ end effectors၊ lift pins၊ guide rails နဲ့ FAB automation အတွက် custom fixtures တွေ ပါဝင်ပါတယ်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စမ်းသပ်ကိရိယာအတွက် ကြွေထည် အပိုပစ္စည်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ကြွေပြား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း သယ်ဆောင်စက်
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေထည် အပိုပစ္စည်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
အပူချိန်မြင့် အခန်းပိတ်ခြင်းအတွက် သန့်စင်သော အလူမီနာ ကြွေထည် တံဆိပ်ခတ်ကွင်း
St.Cera ရဲ့ ကြွေထည်အဖုံးကွင်းကို အီလက်စတိုမာတွေ ယိုယွင်းပျက်စီးတဲ့ အလွန်အမင်းပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ပိုလီမာ O-ring တွေအတွက် အစားထိုးအဖြစ် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှုရှိတဲ့ အလူမီနာ (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီမာကျောတဲ့ အဖုံးကွင်းကို static sealing applications တွေမှာ အသုံးပြုလေ့ရှိပါတယ် — ပုံမှန်အားဖြင့် ပျော့ပျောင်းတဲ့သတ္တု ဒါမှမဟုတ် ဂရပ်ဖိုက် gasket နဲ့ တွဲဖက်အသုံးပြုလေ့ရှိပါတယ် — 800°C အထိ အပူချိန်နဲ့ ပြင်းထန်တဲ့ ပလာစမာ ဒါမှမဟုတ် ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ယုံကြည်စိတ်ချရတဲ့ vacuum ဒါမှမဟုတ် ဓာတ်ငွေ့ထိန်းချုပ်နိုင်စွမ်းကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းက ဓာတ်ငွေ့ထွက်ရှိမှု လုံးဝမရှိခြင်း၊ မြင့်မားတဲ့ compressive strength (အခြေခံ flexural strength 361 MPa) နဲ့ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မတည်မငြိမ်ဖြစ်မှု (HF မှလွဲ၍ ဟေလိုဂျင်၊ အက်ဆစ်နဲ့ အယ်ကာလီတွေကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း) တို့ကို ပေးစွမ်းပါတယ်။ တိကျစွာဖုံးအုပ်ထားတဲ့ အဖုံးမျက်နှာပြင်များ (ပြားချပ်မှု ≤5 μm၊ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု Ra ≤0.2 μm) က သတ္တု ဒါမှမဟုတ် ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းတွေနဲ့ ယိုစိမ့်မှုကင်းတဲ့ ထိတွေ့မှုကို သေချာစေပါတယ်။
-
Plasma Etch & CVD စနစ်များအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု အလူမီနာ အခန်း အာရုံစူးစိုက်မှု လက်စွပ်
St.Cera ရဲ့ chamber focus ring ဟာ plasma etch၊ CVD နဲ့ PVD semiconductor စက်ပစ္စည်းတွေမှာ အသုံးပြုတဲ့ အရေးကြီးတဲ့ process kit အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့ purity alumina (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီ ring ဟာ wafer အနားကို ဝန်းရံထားပြီး plasma ကို ကန့်သတ်ပြီး ion angular distribution ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးတာကြောင့် wafer မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် etch uniformity ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းဟာ plasma resistance မြင့်မားခြင်း၊ dielectric strength မြင့်မားခြင်း (15×10⁶ V/m) နဲ့ 1600°C အထိ thermal stability မြင့်မားခြင်းတို့ကို ပေးစွမ်းပြီး fluorine ဒါမှမဟုတ် chlorine-based plasma ပတ်ဝန်းကျင်တွေမှာ ရေရှည်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေပါတယ်။ တိကျစွာ ground လုပ်ထားတဲ့ ID/OD နဲ့ flatness (≤10 μm) ကြောင့် wafer အနားကို တိကျစွာ positioning လုပ်နိုင်ပြီး အနား defect တွေနဲ့ particle တွေ ဖြစ်ပေါ်မှုကို လျော့ကျစေပါတယ်။
-
CVD / PVD လုပ်ငန်းစဉ်အခန်းများအတွက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု အလူမီနာကြွေလက်စွပ်
St.Cera ရဲ့ ကြွေထည်ကွင်းကို CVD (ဓာတုဗေဒ အငွေ့စုပုံခြင်း) နဲ့ PVD (ရူပဗေဒ အငွေ့စုပုံခြင်း) လုပ်ငန်းစဉ် အခန်းတွေမှာ အသုံးပြုရန် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါတယ်။ ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းမှုရှိတဲ့ အလူမီနာ (Al₂O₃) မှ ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ ဒီကွင်းဟာ အခန်းအတွင်းခံ၊ အာရုံစူးစိုက်မှုကွင်း ဒါမှမဟုတ် လုပ်ငန်းစဉ်ကိရိယာ အစိတ်အပိုင်းအဖြစ် ပလာစမာကို ကန့်သတ်ပြီး အခန်းနံရံတွေကို တိုက်စားမှုကနေ ကာကွယ်ပေးပါတယ်။ ဒီပစ္စည်းက ပလာစမာကို ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်း၊ မြင့်မားတဲ့ dielectric strength (15×10⁶ V/m) နဲ့ ၁၆၀၀°C အထိ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုတို့ကို ပေးစွမ်းပြီး ပြင်းထန်တဲ့ ဖလိုရင်းအခြေခံ ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်မှာ ကြာရှည်ခံတဲ့ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သေချာစေပါတယ်။ တိကျတဲ့ အတိုင်းအတာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု (ID/OD မှာ ±0.05 mm) နဲ့ ပြားချပ်မှု (≤10 μm) တို့က wafer အနားသတ်တွေကို တသမတ်တည်း ထားရှိနိုင်စေပြီး deposition ညီညာမှုကို တိုးတက်စေပြီး အမှုန်ထုတ်လုပ်မှုကို လျှော့ချပေးပါတယ်။
-
Bernoulli Ceramic End Effector — ပါးလွှာပြီး ပျက်စီးလွယ်သော Wafer များအတွက် ထိတွေ့မှုမရှိသော Wafer ကိုင်တွယ်ခြင်း
St.Cera ရဲ့ Bernoulli ကြွေထည် end effector ဟာ aerodynamic lift ကို အသုံးပြုပြီး ဝေဖာတွေကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိတွေ့မှုမရှိဘဲ ကိုင်တွယ်ပါတယ်။ မြင့်မားတဲ့ သန့်ရှင်းမှု 99.8% alumina (Al₂O₃) သို့မဟုတ် silicon carbide (SiC) မှ ထုတ်လုပ်ထားပြီး၊ end effector နဲ့ ဝေဖာကြားမှာ ပါးလွှာတဲ့ လေအလွှာတစ်ခု ဖန်တီးဖို့ ဖိအားပေးထားတဲ့ ဓာတ်ငွေ့တွေကို ထုတ်လွှတ်တဲ့ တိကျတဲ့ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ nozzle တွေ ပါရှိပါတယ်။ ဒီ ထိတွေ့မှုမရှိတဲ့ နိယာမဟာ နောက်ဘက်ညစ်ညမ်းမှု၊ အနားသားကွဲအက်မှုနဲ့ မျက်နှာပြင်ပျက်စီးမှုတွေကို ဖယ်ရှားပေးပြီး ပါးလွှာတဲ့ (≤100 μm)၊ ပျက်စီးလွယ်တဲ့ ဒါမှမဟုတ် ကောက်ကွေးနေတဲ့ ဝေဖာတွေအတွက် အသင့်တော်ဆုံး ဖြစ်စေပါတယ်။ ကြွေထည်အလွှာဟာ မြင့်မားတဲ့ flexural strength (Al₂O₃ အတွက် 361 MPa; SiC အတွက် 550–600 MPa အထိ)၊ အလေးချိန်နည်းခြင်းနဲ့ အလွန်ကောင်းမွန်တဲ့ dimensional stability ကို ပေးစွမ်းတာကြောင့် မြန်နှုန်းမြင့် ဝေဖာလွှဲပြောင်းစက်ရုပ်တွေမှာ ထပ်ခါတလဲလဲ နေရာချထားနိုင်မှုကို သေချာစေပါတယ်။
