-
Gia công tùy chỉnh mâm cặp wafer gốm Al2O3
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Tấm gốm sứ chuyên dụng cho thiết bị bán dẫn ST.CERA theo yêu cầu.
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Mâm cặp chân không bằng alumina 12 inch dùng cho xử lý wafer 300mm
Mâm cặp hút chân không 12 inch của St.Cera được chế tạo chính xác từ alumina (Al₂O₃) có độ tinh khiết cao 99,8% để xử lý tấm wafer 300mm. Mâm cặp có bề mặt rãnh mịn (chiều rộng rãnh 0,5–1,0 mm, bước rãnh 2–3 mm) để đảm bảo phân bố chân không đồng đều trên toàn bộ đường kính 300mm. Độ phẳng được duy trì trong phạm vi 5 μm, cho phép cố định wafer không bị cong vênh trong quá trình cắt, mài mặt sau và kiểm tra. Độ bền uốn cao (361 MPa) và độ cứng (16 GPa) của vật liệu đảm bảo độ ổn định kích thước lâu dài ngay cả khi trải qua nhiều chu kỳ hút chân không.
-
Đầu kẹp gốm alumina tích hợp kênh hút chân không
Đầu kẹp chân không alumina của St.Cera tích hợp các kênh chân không và lỗ hút được gia công chính xác trực tiếp vào thân alumina có độ tinh khiết cao 99,8%. Thiết kế này loại bỏ các miếng đệm chân không bên ngoài, cho phép kẹp trực tiếp wafer với lực giữ đồng đều. Độ bền uốn cao (361 MPa) và độ cứng (16 GPa) của vật liệu đảm bảo độ ổn định kích thước lâu dài dưới các chu kỳ hút chân không lặp lại. Độ phẳng trên toàn bộ diện tích miếng đệm được duy trì trong phạm vi 10 μm, ngăn ngừa ứng suất và vỡ wafer. Các cổng hút chân không được đặt ở mặt bích gắn phía sau để dễ dàng tích hợp với các cánh tay robot của nhà sản xuất thiết bị gốc (OEM).
-
Các linh kiện gốm alumina chống tĩnh điện (ESD) dùng cho việc xử lý wafer nhạy cảm với tĩnh điện.
Các linh kiện gốm alumina an toàn chống tĩnh điện (ESD) của St.Cera được sản xuất từ Al₂O₃ có độ tinh khiết cao 99,8% với điện trở suất bề mặt được điều chỉnh ở mức 10⁶–10⁹ Ω/sq, đạt được thông qua quy trình pha tạp hoặc phủ lớp độc quyền. Các linh kiện này có khả năng tản điện tích tĩnh hiệu quả, ngăn ngừa hư hỏng do tĩnh điện đối với các tấm bán dẫn và thiết bị nhạy cảm. Vật liệu nền vẫn giữ được độ bền uốn cao (361 MPa), độ cứng (16 GPa) và độ bền điện môi (15×10⁶ V/m). Các linh kiện gốm an toàn ESD bao gồm các bộ phận đầu cuối, chốt nâng, thanh dẫn hướng và các đồ gá tùy chỉnh cho tự động hóa nhà máy sản xuất chip.
-
Phụ tùng gốm sứ cho thiết bị dò bán dẫn
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Tấm gốm dùng làm giá đỡ thiết bị bán dẫn
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Phụ tùng gốm sứ cho thiết bị bán dẫn
Được tạo hình bằng phương pháp ép đẳng tĩnh nguội và thiêu kết ở nhiệt độ cao, sau đó gia công chính xác và đánh bóng, các phụ tùng gốm sứ có thể đáp ứng mọi yêu cầu khắt khe của thiết bị bán dẫn nhờ các đặc tính chống mài mòn, chống ăn mòn, độ giãn nở nhiệt thấp và cách điện. Gốm sứ có thể hoạt động trong nhiều loại thiết bị sản xuất bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ cao, chân không hoặc khí ăn mòn trong thời gian dài.
Được chế tạo từ bột alumina có độ tinh khiết cao, trải qua quá trình ép đẳng tĩnh nguội, thiêu kết ở nhiệt độ cao và hoàn thiện chính xác, sản phẩm có thể đạt dung sai kích thước ±0,001 mm, độ nhám bề mặt Ra 0,1, khả năng chịu nhiệt 1600℃.
-
Vòng đệm gốm alumina độ tinh khiết cao dùng để làm kín buồng nhiệt độ cao.
Vòng đệm gốm của St.Cera được thiết kế như một giải pháp thay thế cho vòng đệm chữ O bằng polymer trong môi trường khắc nghiệt, nơi chất đàn hồi bị phân hủy. Được sản xuất từ alumina (Al₂O₃) có độ tinh khiết cao 99,8%, vòng đệm cứng này được sử dụng trong các ứng dụng làm kín tĩnh — thường được kết hợp với gioăng kim loại mềm hoặc gioăng than chì — để cung cấp khả năng giữ chân không hoặc khí đáng tin cậy ở nhiệt độ lên đến 800°C và trong môi trường plasma hoặc hóa chất khắc nghiệt. Vật liệu này không phát thải khí, có độ bền nén cao (độ bền uốn cơ bản 361 MPa) và trơ về mặt hóa học (chống lại halogen, axit và kiềm ngoại trừ HF). Bề mặt làm kín được mài chính xác (độ phẳng ≤5 μm, độ nhám bề mặt Ra ≤0,2 μm) đảm bảo tiếp xúc kín khí với các bộ phận kim loại hoặc gốm ghép nối.
-
Vòng hội tụ buồng alumina độ tinh khiết cao dành cho hệ thống khắc plasma và CVD
Vòng hội tụ buồng của St.Cera là một thành phần quan trọng trong bộ dụng cụ xử lý được sử dụng trong thiết bị bán dẫn khắc plasma, CVD và PVD. Được sản xuất từ alumina (Al₂O₃) có độ tinh khiết cao 99,8%, vòng này bao quanh mép wafer để giữ plasma và tối ưu hóa sự phân bố góc ion, từ đó cải thiện độ đồng nhất của quá trình khắc trên bề mặt wafer. Vật liệu này có khả năng chống plasma vượt trội, độ bền điện môi cao (15×10⁶ V/m) và độ ổn định nhiệt lên đến 1600°C, đảm bảo độ tin cậy lâu dài trong môi trường plasma khắc nghiệt chứa flo hoặc clo. Đường kính trong/ngoài được mài chính xác và độ phẳng (≤10 μm) cho phép định vị mép wafer chính xác, giảm thiểu các khuyết tật ở mép và sự phát sinh hạt.
-
Vòng gốm alumina độ tinh khiết cao dùng cho buồng xử lý CVD/PVD
Vòng gốm của St.Cera được thiết kế đặc biệt để sử dụng trong buồng xử lý CVD (Phương pháp lắng đọng hơi hóa học) và PVD (Phương pháp lắng đọng hơi vật lý). Được sản xuất từ alumina (Al₂O₃) có độ tinh khiết cao 99,8%, vòng này đóng vai trò là lớp lót buồng, vòng hội tụ hoặc thành phần của bộ dụng cụ xử lý để giữ plasma và bảo vệ thành buồng khỏi bị ăn mòn. Vật liệu này có khả năng chống plasma tuyệt vời, độ bền điện môi cao (15×10⁶ V/m) và độ ổn định nhiệt lên đến 1600°C, đảm bảo tuổi thọ cao trong môi trường plasma chứa flo khắc nghiệt. Dung sai kích thước chính xác (±0,05 mm trên đường kính trong/ngoài) và độ phẳng (≤10 μm) cho phép định vị cạnh wafer nhất quán, cải thiện độ đồng nhất của quá trình lắng đọng và giảm sự hình thành hạt.
-
Bộ phận kẹp gốm Bernoulli — Xử lý wafer không tiếp xúc cho các wafer mỏng và dễ vỡ
Đầu kẹp gốm Bernoulli của St.Cera sử dụng lực nâng khí động học để xử lý các tấm wafer mà không cần tiếp xúc vật lý. Được sản xuất từ alumina (Al₂O₃) hoặc silicon carbide (SiC) có độ tinh khiết cao 99,8%, nó có các vòi phun được gia công chính xác để phun khí nén tạo ra một lớp màng khí mỏng giữa đầu kẹp và tấm wafer. Nguyên tắc không tiếp xúc này loại bỏ sự nhiễm bẩn mặt sau, sứt mẻ cạnh và hư hỏng bề mặt, lý tưởng cho các tấm wafer mỏng (≤100 μm), dễ vỡ hoặc bị cong vênh. Lớp nền gốm cung cấp độ bền uốn cao (361 MPa đối với Al₂O₃; lên đến 550–600 MPa đối với SiC), khối lượng thấp và độ ổn định kích thước tuyệt vời, đảm bảo định vị lặp lại trong các robot chuyển wafer tốc độ cao.
