-
Processament personalitzat del mandril de galeta de ceràmica Al2O3
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Placa de ceràmica per a equips semiconductors personalitzats ST.CERA
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Mandril de buit d'alúmina de 12 polzades per al processament de galetes de 300 mm
El mandril de buit de 12 polzades de St.Cera està fabricat amb precisió a partir d'alúmina d'alta puresa (Al₂O₃) al 99,8% per a la manipulació d'oblies de 300 mm. El mandril presenta una superfície amb ranures fines (amplada de la ranura de 0,5 a 1,0 mm, pas de 2 a 3 mm) per garantir una distribució uniforme del buit en tot el diàmetre de 300 mm. La planitud es manté dins de 5 μm, cosa que permet una fixació de l'oblia sense deformacions durant el tall en daus, la mòlta posterior i la inspecció. L'alta resistència a la flexió (361 MPa) i la duresa (16 GPa) del material garanteixen estabilitat dimensional a llarg termini, fins i tot sota cicles de buit repetits.
-
Efector final de ceràmica d'alúmina amb canals de buit integrats
L'efector final de buit d'alúmina de St.Cera integra canals de buit mecanitzats amb precisió i forats de succió directament al cos d'alúmina d'alta puresa del 99,8%. Aquest disseny elimina les ventoses externes, cosa que permet una recollida directa de la làmina amb una força de subjecció uniforme. L'alta resistència a la flexió (361 MPa) i la duresa (16 GPa) del material garanteixen una estabilitat dimensional a llarg termini sota cicles de buit repetits. La planitud a la zona de la ventosa es manté dins de les 10 μm, evitant la tensió i la ruptura de la làmina. Els ports de buit es troben a la brida de muntatge posterior per facilitar la integració amb els braços robòtics OEM.
-
Peces ceràmiques d'alúmina ESD-safe per a la manipulació de galetes sensibles a l'electricitat estàtica
Les peces ceràmiques d'alúmina segures per a descàrrega electrostàtica (ESD) de St.Cera es fabriquen amb un 99,8% d'Al₂O₃ d'alta puresa amb una resistivitat superficial personalitzada de 10⁶–10⁹ Ω/sq, aconseguida mitjançant un procés de dopatge o recobriment patentat. Aquestes peces dissipen eficaçment la càrrega estàtica, evitant danys electrostàtics a les oblies i dispositius semiconductors sensibles. El material base conserva la seva alta resistència a la flexió (361 MPa), duresa (16 GPa) i resistència dielèctrica (15×10⁶ V/m). Les peces ceràmiques segures per a ESD inclouen efectors finals, passadors d'elevació, rails de guia i accessoris personalitzats per a l'automatització de FAB.
-
Recanvis de ceràmica per a equips de sonda semiconductora
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Portador d'equips semiconductors de plaques de ceràmica
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Recanvis de ceràmica per a equips semiconductors
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Anell de segellat ceràmic d'alúmina d'alta puresa per al segellat de cambres d'alta temperatura
L'anell de segellat ceràmic de St.Cera està dissenyat com a alternativa a les juntes tòriques de polímer en entorns extrems on els elastòmers es degraden. Fabricat amb un 99,8% d'alúmina d'alta puresa (Al₂O₃), aquest anell de segellat rígid s'utilitza en aplicacions de segellat estàtic, normalment combinat amb una junta de metall tou o grafit, per proporcionar una contenció fiable de buit o gas a temperatures de fins a 800 °C i en entorns agressius de plasma o químics. El material ofereix zero desgasificació, alta resistència a la compressió (resistència a la flexió subjacent de 361 MPa) i inertícia química (resistent a halògens, àcids i àlcalis excepte HF). Les superfícies de segellat solapades amb precisió (planitud ≤5 μm, rugositat superficial Ra ≤0,2 μm) garanteixen un contacte hermètic amb els components metàl·lics o ceràmics d'acoblament.
-
Anell de focalització de cambra d'alúmina d'alta puresa per a sistemes de gravat per plasma i CVD
L'anell d'enfocament de cambra de St.Cera és un component crític del kit de procés utilitzat en equips de semiconductors de gravat per plasma, CVD i PVD. Fabricat amb un 99,8% d'alúmina d'alta puresa (Al₂O₃), l'anell envolta la vora de l'oblia per confinar el plasma i optimitzar la distribució angular dels ions, millorant així la uniformitat del gravat a la superfície de l'oblia. El material ofereix una resistència al plasma excepcional, una alta resistència dielèctrica (15×10⁶ V/m) i una estabilitat tèrmica de fins a 1600 °C, cosa que garanteix una fiabilitat a llarg termini en entorns de plasma agressius basats en fluor o clor. El diàmetre interior/exterior i la planitud (≤10 μm) rectificats amb precisió permeten un posicionament precís de la vora de l'oblia, reduint els defectes de la vora i la generació de partícules.
-
Anell ceràmic d'alúmina d'alta puresa per a cambres de procés CVD/PVD
L'anell ceràmic de St.Cera està dissenyat específicament per al seu ús en cambres de procés CVD (deposició química de vapor) i PVD (deposició física de vapor). Fabricat amb un 99,8% d'alúmina d'alta puresa (Al₂O₃), aquest anell serveix com a revestiment de la cambra, anell d'enfocament o component del kit de procés per confinar el plasma i protegir les parets de la cambra de l'erosió. El material ofereix una excel·lent resistència al plasma, una alta resistència dielèctrica (15×10⁶ V/m) i estabilitat tèrmica fins a 1600 °C, cosa que garanteix una llarga vida útil en entorns de plasma agressius basats en fluor. Les toleràncies dimensionals precises (±0,05 mm en DI/OD) i la planitud (≤10 μm) permeten un posicionament consistent de la vora de la làmina, millorant la uniformitat de la deposició i reduint la generació de partícules.
-
Efector final ceràmic de Bernoulli: manipulació sense contacte d'oblies primes i fràgils
L'efector final ceràmic Bernoulli de St.Cera utilitza una sustentació aerodinàmica per manipular oblies sense contacte físic. Fabricat amb alúmina (Al₂O₃) o carbur de silici (SiC) d'alta puresa al 99,8%, compta amb broquets mecanitzats amb precisió que expulsen gas a pressió per crear una fina pel·lícula d'aire entre l'efector final i l'oblia. Aquest principi sense contacte elimina la contaminació posterior, l'esquerdament de les vores i els danys superficials, cosa que el fa ideal per a oblies primes (≤100 μm), fràgils o deformades. El substrat ceràmic proporciona una alta resistència a la flexió (361 MPa per a Al₂O₃; fins a 550–600 MPa per a SiC), baixa massa i excel·lent estabilitat dimensional, garantint un posicionament repetible en robots de transferència d'oblies d'alta velocitat.
