-
Processus ad arbitrium clientium Mandrini Laminarum Ceramicarum Al2O3
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
ST.CERA Lamina Ceramica Instrumentorum Semiconductorum Personalisata
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Mandrinum Aluminae Vacuum 12-unciae ad Lamellas 300mm Tractandas
Mandrinum vacuum duodecim unciarum St.Cera ex alumina purissima 99.8% (Al₂O₃) ad accuratam perfectionem fabricatum est, ad tractationem crustularum 300 mm. Mandrinum superficiem subtiliter sulcatam habet (latitudo sulci 0.5–1.0 mm, passus 2–3 mm) ad distributionem vacui uniformem per totum diametrum 300 mm curandam. Planities intra 5 μm servatur, quo fit ut crustula sine distorsione fixi sint dum secantur, tergum triturantur, et inspiciuntur. Alta robur flexurale (361 MPa) et durities (16 GPa) materiae stabilitatem dimensionalem diuturnam etiam sub cyclis vacui repetitis praestant.
-
Effector Extremus Ceramici Aluminae cum Canalibus Vacui Integratis
Effector terminalis vacui ex alumina St.Cera fabricatus canales vacui accurate machinatos et foramina suctionis directe in corpus aluminae 99.8% altae puritatis integrat. Hoc consilium pulvinos vacui externos eliminat, quo facilius lamellae captatio cum vi tenaci uniformi permittitur. Alta vis flexuralis (361 MPa) et durities (16 GPa) materiae stabilitatem dimensionalem diuturnam sub cyclis vacui repetitis praestant. Planities per aream pulvinos intra 10 μm servatur, quo fit ut lamellae tensio et fractura prohibeantur. Portae vacui in flange posteriori montatoria sitae sunt ad facilem integrationem cum bracchiis roboticis OEM.
-
Partes Ceramicae Aluminae ESD-Tutae ad Tractationem Crustularum Staticae Sensibilium
Partes ceramicae aluminae St.Cera, quae contra ESD (disruptiones electrostaticas) securae sunt, ex Al₂O₃ altae puritatis 99.8% fabricantur, cum resistentia superficiali 10⁶–10⁹ Ω/sq., per processum proprium doping vel obductionis effecta. Hae partes efficaciter impetum staticum dissipant, damnum electrostaticum laminis et instrumentis semiconductoribus sensibilibus prohibentes. Materia fundamentalis retinet suam magnam firmitatem flexuralem (361 MPa), duritiem (16 GPa), et firmitatem dielectricam (15×10⁶ V/m). Partes ceramicae contra ESD securae includunt effectores terminales, paxilli elevationis, rotas ductorias, et accessiones ad usum fabricatorum fabricandorum.
-
Partes Substitutae Ceramicae pro Apparatu Probe Semiconductoris
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Lamina Ceramica Semiconductoris Instrumentorum Vector
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Partes Substitutae Ceramicae pro Apparatu Semiconductorio
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Anulus Obsignatorius Ceramicus Aluminae Altae Puritatis ad Obsignationem Camerae Altae Temperaturae
Anulus obturans ceramicus St.Cera designatus est ut alternativa anulis toricis polymericis in ambitus extremis ubi elastomera degradantur. Fabricatus ex 99.8% alumina altae puritatis (Al₂O₃), hic anulus obturans rigidus adhibetur in applicationibus obturantibus staticis — typice cum metallo molli vel obturamento graphito coniunctus — ad vacuum vel gasum continendum fidum praebendum temperaturis usque ad 800°C et in ambitus plasmatis vel chemicis aggressivis. Materia nullam emissionem gasorum, magnam vim compressionis (vim flexuralem subiacentem 361 MPa), et inertiam chemicam (resistens halogenis, acidis, et alcalibus praeter HF) offert. Superficies obturantes accurate laminatae (planitas ≤5 μm, asperitas superficiei Ra ≤0.2 μm) contactum impervium cum componentibus metallicis vel ceramicis congruentibus praestant.
-
Anulus Focalis Camerae Aluminae Altae Puritatis ad Systemationes Plasmae Corrosionis et CVD
Anulus camerae focalis St.Cerae est pars critica instrumenti processus adhibita in apparatibus semiconductorum ad plasma corrosionem, CVD, et PVD. Fabricatus ex alumina altae puritatis 99.8% (Al₂O₃), anulus marginem lamellae circumdat ad plasmam coercendum et distributionem angularem ionum optimizandam, ita uniformitatem corrosionis per superficiem lamellae emendans. Materia praebet resistentiam plasmatis exceptionalem, magnam vim dielectricam (15×10⁶ V/m), et stabilitatem thermalem usque ad 1600°C, firmitatem diuturnam in ambitus plasmatis aggressivis fluoro vel chloro fundatis praestans. Diameter interior/exterior (ID/OD) et planities (≤10 μm) accurate politae positionem accuratam marginis lamellae permittunt, defectus marginum et generationem particularum reducendo.
-
Anulus Ceramicus Aluminae Altae Puritatis pro Cameris Processus CVD/PVD
Anulus ceramicus St.Cera specialiter designatus est ad usum in cameris processuum CVD (Depositione Vaporis Chemici) et PVD (Depositione Vaporis Physica). Fabricatus ex alumina altae puritatis 99.8% (Al₂O₃), hic anulus fungitur ut tegumentum camerae, anulus focalis, vel elementum apparatus processus ad plasmam continendum et parietes camerae ab erosione protegendos. Materia praebet excellentem resistentiam plasmatis, magnam vim dielectricam (15×10⁶ V/m), et stabilitatem thermalem usque ad 1600°C, longam vitam utilem in ambitus plasmatis aggressivis fluoro fundatis praestans. Tolerantiae dimensionales praecisae (±0.05 mm in DI/OD) et planities (≤10 μm) permittunt situm congruentem marginis lamellae, uniformitatem depositionis emendantes et generationem particularum reducentes.
-
Effector Extremus Ceramicus Bernoulli — Tractatio Crustularum Sine Contactu pro Crustulis Tenuibus et Fragilibus
Effector terminalis ceramicus Bernoulli a St.Cera fabricatus, elevationem aerodynamicam adhibet ad laminas sine contactu physico tractandas. Ex alumina 99.8% (Al₂O₃) vel carburo silicii (SiC) altae puritatis fabricatus, orificiis accurate machinatis instructus est quae gas pressum eiiciunt ad tenuem pelliculam aeris inter effectorem terminalem et laminam creandam. Hoc principium sine contactu contaminationem posteriorem, fistulas marginis, et damnum superficiei eliminat, ita ut id aptum sit laminis tenuibus (≤100 μm), fragilibus, vel distortis. Substratum ceramicum praebet magnam vim flexuralem (361 MPa pro Al₂O₃; usque ad 550–600 MPa pro SiC), massam humilem, et excellentem stabilitatem dimensionalem, ita positionem repetibilem in robotis translationis laminarum celerrimis praestans.
