-
Gipahiangay nga Pagproseso sa Al2O3 Ceramic Wafer Chuck
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
ST.CERA Customized Semiconductor Equipment Seramik nga Plato
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
12-Pulgada nga Alumina Vacuum Chuck para sa 300mm nga Pagproseso sa Wafer
Ang 12-pulgada nga vacuum chuck sa St.Cera gihimo gamit ang 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃) para sa 300mm wafer handling. Ang chuck adunay pino nga grooved surface (growth 0.5–1.0 mm, pitch 2–3 mm) aron masiguro ang uniporme nga vacuum distribution sa tibuok 300mm diameter. Ang pagkapatag niini gimentinar sulod sa 5 μm, nga makapahimo sa wafer fixation nga walay warp atol sa dicing, backside grinding, ug inspection. Ang taas nga flexural strength (361 MPa) ug hardness (16 GPa) sa materyal naggarantiya sa dugay nga dimensional stability bisan ubos sa balik-balik nga vacuum cycles.
-
Alumina Ceramic End Effector nga adunay Integrated Vacuum Channels
Ang alumina vacuum end effector sa St.Cera nag-integrate sa precision-machined vacuum channels ug suction holes direkta ngadto sa 99.8% high-purity alumina body. Kini nga disenyo nagwagtang sa external vacuum pads, nga nagtugot sa direktang pagkuha sa wafer nga adunay parehas nga holding force. Ang taas nga flexural strength (361 MPa) ug hardness (16 GPa) sa materyal nagsiguro sa dugay nga dimensional stability ubos sa balik-balik nga vacuum cycles. Ang pagkapatag sa tibuok pad area gimentinar sulod sa 10 μm, nga nagpugong sa wafer stress ug pagkabuak. Ang mga vacuum port nahimutang sa likod nga mounting flange para sa dali nga pag-integrate sa OEM robot arms.
-
Mga Parte sa ESD-Safe Alumina Ceramic para sa Static-Sensitive Wafer Handling
Ang mga piyesa sa alumina ceramic nga luwas sa ESD (electrostatic discharge) sa St.Cera gihimo gikan sa 99.8% nga taas nga kaputli nga Al₂O₃ nga adunay gipahaom nga resistivity sa nawong nga 10⁶–10⁹ Ω/sq, nga nakab-ot pinaagi sa usa ka proprietary doping o coating process. Kini nga mga piyesa epektibong nagpalapad sa static charge, nga nagpugong sa kadaot sa electrostatic sa sensitibo nga mga wafer ug device sa semiconductor. Ang base nga materyal nagpabilin sa taas nga flexural strength (361 MPa), katig-a (16 GPa), ug dielectric strength (15×10⁶ V/m). Ang mga piyesa sa ceramic nga luwas sa ESD naglakip sa mga end effector, lift pin, guide rail, ug custom fixtures para sa FAB automation.
-
Mga Piyesa nga Seramik para sa Kagamitan sa Semiconductor Probe
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Tigdala sa Kagamitan sa Semiconductor sa Seramik nga Plato
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Mga Kagamitan sa Semiconductor nga Seramik nga mga Piyesa
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Singsing nga Selyo nga Seramik nga Alumina nga Taas ang Kaputli para sa Pagsilyo sa Chamber nga Taas ang Temperatura
Ang ceramic seal ring sa St.Cera gidisenyo isip alternatibo sa polymer O-rings sa grabeng mga palibot diin ang mga elastomer madaot. Gihimo gikan sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), kini nga rigid seal ring gigamit sa mga static sealing application — kasagaran ipares sa humok nga metal o graphite gasket — aron makahatag og kasaligan nga vacuum o gas containment sa temperatura nga hangtod sa 800°C ug sa agresibo nga plasma o kemikal nga mga palibot. Ang materyal nagtanyag og zero outgassing, taas nga compressive strength (nagpaila nga flexural strength 361 MPa), ug chemical inertness (makasukol sa mga halogen, acid, ug alkali gawas sa HF). Ang precision-lapped sealing surfaces (flatness ≤5 μm, surface roughness Ra ≤0.2 μm) nagsiguro sa leak-tight contact sa mating metal o ceramic components.
-
Taas-Kaputli nga Alumina Chamber Focus Ring para sa Plasma Etch ug CVD Systems
Ang chamber focus ring sa St.Cera usa ka kritikal nga process kit component nga gigamit sa plasma etch, CVD, ug PVD semiconductor equipment. Gihimo gikan sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), ang singsing naglibot sa wafer edge aron limitahan ang plasma ug ma-optimize ang ion angular distribution, sa ingon nagpauswag sa etch uniformity sa tibuok wafer surface. Ang materyal nagtanyag og talagsaong plasma resistance, taas nga dielectric strength (15×10⁶ V/m), ug thermal stability hangtod sa 1600°C, nga nagsiguro sa dugay nga kasaligan sa agresibo nga fluorine- o chlorine-based plasma environments. Ang precision-ground ID/OD ug flatness (≤10 μm) nagtugot sa tukma nga wafer edge positioning, nga nagpamenos sa mga depekto sa edge ug particle generation.
-
Singsing nga Seramik nga Alumina nga Taas ang Kaputli para sa mga Silid sa Proseso sa CVD / PVD
Ang ceramic ring sa St.Cera espesipikong gidisenyo para gamiton sa mga CVD (Chemical Vapor Deposition) ug PVD (Physical Vapor Deposition) process chambers. Gihimo gikan sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), kini nga singsing nagsilbing chamber liner, focus ring, o process kit component aron mapugngan ang plasma ug mapanalipdan ang mga bungbong sa chamber gikan sa erosion. Ang materyal nagtanyag og maayo kaayong plasma resistance, taas nga dielectric strength (15×10⁶ V/m), ug thermal stability hangtod sa 1600°C, nga nagsiguro sa taas nga kinabuhi sa agresibo nga fluorine-based plasma environments. Ang tukma nga dimensional tolerances (±0.05 mm sa ID/OD) ug flatness (≤10 μm) nagtugot sa makanunayon nga wafer edge positioning, nga nagpauswag sa deposition uniformity ug nagpamenos sa particle generation.
-
Bernoulli Ceramic End Effector — Non-Contact Wafer Handling para sa Nipis ug Mabuak nga mga Wafer
Ang Bernoulli ceramic end effector sa St.Cera naggamit og aerodynamic lift aron makontrol ang mga wafer nga walay pisikal nga kontak. Gihimo gikan sa taas nga kaputli nga 99.8% alumina (Al₂O₃) o silicon carbide (SiC), kini adunay mga precision-machined nozzle nga mopagawas og pressurized gas aron makahimo og nipis nga air film tali sa end effector ug sa wafer. Kini nga non-contact principle nagwagtang sa kontaminasyon sa likod, pagkabuak sa ngilit, ug kadaot sa nawong, nga naghimo niini nga sulundon alang sa nipis (≤100 μm), mahuyang, o liko nga mga wafer. Ang ceramic substrate naghatag og taas nga flexural strength (361 MPa para sa Al₂O₃; hangtod sa 550–600 MPa para sa SiC), ubos nga masa, ug maayo kaayo nga dimensional stability, nga nagsiguro sa balik-balik nga pagposisyon sa mga high-speed wafer transfer robot.
