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Lavorazione personalizzata del mandrino per wafer ceramici di Al2O3
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Piastra ceramica per apparecchiature a semiconduttore personalizzate ST.CERA
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Mandrino a vuoto in allumina da 12 pollici per la lavorazione di wafer da 300 mm
Il mandrino a vuoto da 12 pollici di St.Cera è progettato con precisione in allumina (Al₂O₃) ad alta purezza (99,8%) per la movimentazione di wafer da 300 mm. Il mandrino presenta una superficie finemente scanalata (larghezza della scanalatura 0,5–1,0 mm, passo 2–3 mm) per garantire una distribuzione uniforme del vuoto su tutto il diametro di 300 mm. La planarità è mantenuta entro 5 μm, consentendo un fissaggio del wafer senza deformazioni durante il taglio, la rettifica del lato posteriore e l'ispezione. L'elevata resistenza alla flessione (361 MPa) e la durezza (16 GPa) del materiale garantiscono una stabilità dimensionale a lungo termine anche in presenza di ripetuti cicli di vuoto.
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Effettore finale in ceramica di allumina con canali di aspirazione integrati
L'effettore finale a vuoto in allumina di St.Cera integra canali di aspirazione e fori di aspirazione lavorati con precisione direttamente nel corpo in allumina ad alta purezza (99,8%). Questa progettazione elimina i cuscinetti di aspirazione esterni, consentendo il prelievo diretto del wafer con una forza di tenuta uniforme. L'elevata resistenza alla flessione (361 MPa) e la durezza (16 GPa) del materiale garantiscono una stabilità dimensionale a lungo termine anche in presenza di cicli di aspirazione ripetuti. La planarità dell'area del cuscinetto si mantiene entro 10 μm, prevenendo sollecitazioni e rotture del wafer. Le porte di aspirazione sono posizionate sulla flangia di montaggio posteriore per una facile integrazione con i bracci robotici OEM.
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Componenti in ceramica di allumina antistatici per la manipolazione di wafer sensibili alle scariche elettrostatiche.
I componenti in ceramica di allumina di St.Cera, resistenti alle scariche elettrostatiche (ESD), sono realizzati con Al₂O₃ ad elevata purezza (99,8%) e presentano una resistività superficiale personalizzata di 10⁶–10⁹ Ω/quadrato, ottenuta tramite un processo di drogaggio o rivestimento proprietario. Questi componenti dissipano efficacemente la carica statica, prevenendo danni elettrostatici a wafer e dispositivi semiconduttori sensibili. Il materiale di base mantiene la sua elevata resistenza alla flessione (361 MPa), durezza (16 GPa) e rigidità dielettrica (15×10⁶ V/m). I componenti in ceramica resistenti alle scariche elettrostatiche includono effettori terminali, perni di sollevamento, guide e dispositivi di fissaggio personalizzati per l'automazione FAB.
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Componenti di ricambio in ceramica per apparecchiature di sonda per semiconduttori
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Piastra ceramica per semiconduttori - Supporto per apparecchiature
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Componenti di ricambio in ceramica per apparecchiature a semiconduttore
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Anello di tenuta in ceramica di allumina ad elevata purezza per la sigillatura di camere ad alta temperatura
L'anello di tenuta in ceramica di St.Cera è progettato come alternativa agli O-ring in polimero in ambienti estremi dove gli elastomeri si degradano. Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), questo anello di tenuta rigido viene utilizzato in applicazioni di tenuta statica, tipicamente in abbinamento a una guarnizione in metallo morbido o grafite, per garantire un contenimento affidabile del vuoto o del gas a temperature fino a 800 °C e in ambienti aggressivi con plasma o agenti chimici. Il materiale offre zero degassamento, elevata resistenza alla compressione (resistenza alla flessione di base 361 MPa) e inerzia chimica (resistente ad alogeni, acidi e alcali, ad eccezione dell'HF). Le superfici di tenuta lappate con precisione (planarità ≤5 μm, rugosità superficiale Ra ≤0,2 μm) assicurano un contatto a tenuta stagna con i componenti metallici o ceramici di accoppiamento.
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Anello di focalizzazione in allumina ad alta purezza per sistemi di incisione al plasma e CVD.
L'anello di focalizzazione della camera di St.Cera è un componente critico del kit di processo utilizzato nelle apparecchiature per semiconduttori di incisione al plasma, CVD e PVD. Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), l'anello circonda il bordo del wafer per confinare il plasma e ottimizzare la distribuzione angolare degli ioni, migliorando così l'uniformità dell'incisione sulla superficie del wafer. Il materiale offre un'eccezionale resistenza al plasma, un'elevata rigidità dielettrica (15×10⁶ V/m) e stabilità termica fino a 1600 °C, garantendo un'affidabilità a lungo termine in ambienti aggressivi con plasma a base di fluoro o cloro. La rettifica di precisione del diametro interno/esterno e la planarità (≤10 μm) consentono un posizionamento accurato del bordo del wafer, riducendo i difetti sui bordi e la generazione di particelle.
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Anello in ceramica di allumina ad elevata purezza per camere di processo CVD/PVD
L'anello ceramico di St.Cera è specificamente progettato per l'uso in camere di processo CVD (Chemical Vapor Deposition) e PVD (Physical Vapor Deposition). Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), questo anello funge da rivestimento della camera, anello di focalizzazione o componente del kit di processo per confinare il plasma e proteggere le pareti della camera dall'erosione. Il materiale offre un'eccellente resistenza al plasma, un'elevata rigidità dielettrica (15×10⁶ V/m) e stabilità termica fino a 1600 °C, garantendo una lunga durata in ambienti aggressivi con plasma a base di fluoro. Le precise tolleranze dimensionali (±0,05 mm su diametro interno/esterno) e la planarità (≤10 μm) consentono un posizionamento costante del bordo del wafer, migliorando l'uniformità della deposizione e riducendo la generazione di particelle.
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Effettore terminale in ceramica Bernoulli: manipolazione senza contatto di wafer sottili e fragili.
L'effettore terminale in ceramica Bernoulli di St.Cera utilizza la portanza aerodinamica per movimentare i wafer senza contatto fisico. Realizzato in allumina (Al₂O₃) o carburo di silicio (SiC) ad elevata purezza (99,8%), è dotato di ugelli lavorati con precisione che espellono gas pressurizzato per creare un sottile film d'aria tra l'effettore terminale e il wafer. Questo principio senza contatto elimina la contaminazione del lato posteriore, la scheggiatura dei bordi e i danni superficiali, rendendolo ideale per wafer sottili (≤100 μm), fragili o deformati. Il substrato ceramico offre un'elevata resistenza alla flessione (361 MPa per Al₂O₃; fino a 550-600 MPa per SiC), una massa ridotta e un'eccellente stabilità dimensionale, garantendo un posizionamento ripetibile nei robot di trasferimento wafer ad alta velocità.
