-
Giullachd Gnàthaichte de Chuck Wafer Ceirmeach Al2O3
Air an cruthachadh le brùthadh isostatach fuar agus air an sintearachd fo theodhachd àrd, an uairsin air an innealachadh gu mionaideach agus air an snasadh, faodaidh na pàirtean a bharrachd ceirmeag coinneachadh ri riatanasan teann uidheamachd leth-chonnsachaidh leis na feartan aige de strì an aghaidh caitheamh, strì an aghaidh creimeadh, leudachadh teirmeach ìosal, agus insulation. Faodaidh ceirmeag obrachadh ann an iomadh seòrsa uidheamachd cinneasachaidh leth-chonnsachaidh le suidheachadh teòthachd àrd, falamh no gas creimneach airson ùine mhòr.
Air a dhèanamh à pùdar alumina àrd-ghlanachd, air a phròiseasadh le brùthadh isostatach fuar, sintering aig teòthachd àrd agus crìochnachadh mionaideach, dh’ fhaodadh e fulangas meud a ruighinn gu ± 0.001 mm, crìochnachadh uachdar Ra 0.1, strì an aghaidh teòthachd 1600 ℃.
-
Plàta Ceirmeag Uidheam Semiconductor Gnàthaichte ST.CERA
Air an cruthachadh le brùthadh isostatach fuar agus air an sintearachd fo theodhachd àrd, an uairsin air an innealachadh gu mionaideach agus air an snasadh, faodaidh na pàirtean a bharrachd ceirmeag coinneachadh ri riatanasan teann uidheamachd leth-chonnsachaidh leis na feartan aige de strì an aghaidh caitheamh, strì an aghaidh creimeadh, leudachadh teirmeach ìosal, agus insulation. Faodaidh ceirmeag obrachadh ann an iomadh seòrsa uidheamachd cinneasachaidh leth-chonnsachaidh le suidheachadh teòthachd àrd, falamh no gas creimneach airson ùine mhòr.
Air a dhèanamh à pùdar alumina àrd-ghlanachd, air a phròiseasadh le brùthadh isostatach fuar, sintering aig teòthachd àrd agus crìochnachadh mionaideach, dh’ fhaodadh e fulangas meud a ruighinn gu ± 0.001 mm, crìochnachadh uachdar Ra 0.1, strì an aghaidh teòthachd 1600 ℃.
-
Chuck falamh alùmana 12-òirleach airson giullachd wafer 300mm
Tha an chuck falamh 12-òirleach aig St.Cera air a dhèanamh gu mionaideach bho 99.8% alumina àrd-ghlanachd (Al₂O₃) airson làimhseachadh wafer 300mm. Tha uachdar claisean grinn aig a’ chuck (leud clais 0.5–1.0 mm, pitch 2–3 mm) gus dèanamh cinnteach à sgaoileadh falamh cunbhalach thairis air an trast-thomhas 300mm gu lèir. Tha rèidhleanachd air a chumail taobh a-staigh 5 μm, a’ comasachadh daingneachadh wafer gun lùbadh rè dìsnean, bleith cùil, agus sgrùdadh. Tha neart lùbadh àrd an stuth (361 MPa) agus cruas (16 GPa) a’ gealltainn seasmhachd tomhasach fad-ùine eadhon fo chuairtean falamh a-rithist.
-
Èifeachd Deireadh Ceirmeach Alumina le Sianalan Falmhachaidh Amalaichte
Bidh buaidh-crìche falamh alumina St.Cera ag amalachadh seanalan falamh innealaichte gu mionaideach agus tuill suidse dìreach a-steach don bhodhaig alumina àrd-ghlanachd 99.8%. Tha an dealbhadh seo a’ cuir às do phlàtaichean falamh taobh a-muigh, a’ comasachadh togail dìreach wafer le feachd cumail cunbhalach. Tha neart lùbadh àrd an stuth (361 MPa) agus cruas (16 GPa) a’ dèanamh cinnteach à seasmhachd tomhasach fad-ùine fo chuairtean falamh a-rithist is a-rithist. Tha rèidhleanachd thar raon a’ phlàta air a chumail taobh a-staigh 10 μm, a’ cur casg air cuideam agus briseadh wafer. Tha puirt falamh suidhichte aig flange sreap cùil airson amalachadh furasta le gàirdeanan robot OEM.
-
Pàirtean Ceirmeag Alumina Sàbhailte a thaobh ESD airson Làimhseachadh Wafer Mothachail air Static
Tha pàirtean ceirmeag alumina sàbhailte ESD (sgaoileadh electrostatach) aig St.Cera air an dèanamh bho 99.8% Al₂O₃ àrd-ghlan le strì an aghaidh uachdar sònraichte de 10⁶–10⁹ Ω/ceàrnagach, air a choileanadh tro phròiseas dopaidh no còmhdachaidh seilbhe. Bidh na pàirtean seo a’ sgaoileadh cosgais statach gu h-èifeachdach, a’ cur casg air milleadh electrostatach do uibhrichean agus innealan leth-chonnsachaidh mothachail. Bidh an stuth bunaiteach a’ cumail a neart lùbadh àrd (361 MPa), cruas (16 GPa), agus neart dielectric (15 × 10⁶ V/m). Tha pàirtean ceirmeag sàbhailte ESD a’ toirt a-steach buadhairean deiridh, prìnichean togail, rèilichean treòrachaidh, agus innealan gnàthaichte airson fèin-ghluasad FAB.
-
Pàirtean a bharrachd ceirmeag airson uidheamachd sgrùdaidh leth-chonnsachaidh
Air an cruthachadh le brùthadh isostatach fuar agus air an sintearachd fo theodhachd àrd, an uairsin air an innealachadh gu mionaideach agus air an snasadh, faodaidh na pàirtean a bharrachd ceirmeag coinneachadh ri riatanasan teann uidheamachd leth-chonnsachaidh leis na feartan aige de strì an aghaidh caitheamh, strì an aghaidh creimeadh, leudachadh teirmeach ìosal, agus insulation. Faodaidh ceirmeag obrachadh ann an iomadh seòrsa uidheamachd cinneasachaidh leth-chonnsachaidh le suidheachadh teòthachd àrd, falamh no gas creimneach airson ùine mhòr.
Air a dhèanamh à pùdar alumina àrd-ghlanachd, air a phròiseasadh le brùthadh isostatach fuar, sintering aig teòthachd àrd agus crìochnachadh mionaideach, dh’ fhaodadh e fulangas meud a ruighinn gu ± 0.001 mm, crìochnachadh uachdar Ra 0.1, strì an aghaidh teòthachd 1600 ℃.
-
Giùlan Uidheam Semiconductor Plàta Ceirmeach
Air an cruthachadh le brùthadh isostatach fuar agus air an sintearachd fo theodhachd àrd, an uairsin air an innealachadh gu mionaideach agus air an snasadh, faodaidh na pàirtean a bharrachd ceirmeag coinneachadh ri riatanasan teann uidheamachd leth-chonnsachaidh leis na feartan aige de strì an aghaidh caitheamh, strì an aghaidh creimeadh, leudachadh teirmeach ìosal, agus insulation. Faodaidh ceirmeag obrachadh ann an iomadh seòrsa uidheamachd cinneasachaidh leth-chonnsachaidh le suidheachadh teòthachd àrd, falamh no gas creimneach airson ùine mhòr.
Air a dhèanamh à pùdar alumina àrd-ghlanachd, air a phròiseasadh le brùthadh isostatach fuar, sintering aig teòthachd àrd agus crìochnachadh mionaideach, dh’ fhaodadh e fulangas meud a ruighinn gu ± 0.001 mm, crìochnachadh uachdar Ra 0.1, strì an aghaidh teòthachd 1600 ℃.
-
Pàirtean a bharrachd ceirmeag uidheamachd leth-sheoltaiche
Air an cruthachadh le brùthadh isostatach fuar agus air an sintearachd fo theodhachd àrd, an uairsin air an innealachadh gu mionaideach agus air an snasadh, faodaidh na pàirtean a bharrachd ceirmeag coinneachadh ri riatanasan teann uidheamachd leth-chonnsachaidh leis na feartan aige de strì an aghaidh caitheamh, strì an aghaidh creimeadh, leudachadh teirmeach ìosal, agus insulation. Faodaidh ceirmeag obrachadh ann an iomadh seòrsa uidheamachd cinneasachaidh leth-chonnsachaidh le suidheachadh teòthachd àrd, falamh no gas creimneach airson ùine mhòr.
Air a dhèanamh à pùdar alumina àrd-ghlanachd, air a phròiseasadh le brùthadh isostatach fuar, sintering aig teòthachd àrd agus crìochnachadh mionaideach, dh’ fhaodadh e fulangas meud a ruighinn gu ± 0.001 mm, crìochnachadh uachdar Ra 0.1, strì an aghaidh teòthachd 1600 ℃.
-
Fàinne Ròin Ceirmeach Alumina Àrd-ghlanachd airson Seulachadh Seòmar Teòthachd Àrd
Tha fàinne ròin ceirmeach St.Cera air a dhealbhadh mar roghainn eile an àite fàinnean-O polymer ann an àrainneachdan anabarrach far a bheil elastomers a’ crìonadh. Air a dhèanamh bho 99.8% alumina àrd-ghlanachd (Al₂O₃), thathas a’ cleachdadh an fhàinne ròin teann seo ann an tagraidhean seulachaidh statach - mar as trice air a chàradh le gasgaid meatailt bog no grafait - gus falamh no cumail gas earbsach a thoirt seachad aig teòthachd suas gu 800 ° C agus ann an àrainneachdan plasma no ceimigeach ionnsaigheach. Tha an stuth a’ tabhann neoni a-mach gas, neart teannachaidh àrd (neart lùbadh bunaiteach 361 MPa), agus neo-ghnìomhachd cheimigeach (an aghaidh halogens, searbhagan, agus alcalan ach a-mhàin HF). Bidh uachdaran seulachaidh le lapaichean mionaideach (cothromachd ≤5 μm, garbh-uachdar Ra ≤0.2 μm) a’ dèanamh cinnteach à conaltradh teann le co-phàirtean meatailt no ceirmeach a tha a’ freagairt.
-
Fàinne Fòcas Seòmar Alumina Àrd-ghlanachd airson Siostaman Plasma Etch & CVD
’S e pàirt chudromach den phasgan pròiseas a th’ ann am fàinne fòcas seòmar St.Cera a thathas a’ cleachdadh ann an uidheam leth-chonnsachaidh plasma, CVD, agus PVD. Air a dhèanamh bho 99.8% alumina àrd-ghlanachd (Al₂O₃), tha am fàinne a’ cuairteachadh oir a’ chlais gus plasma a chuingealachadh agus sgaoileadh ceàrnach ian a bharrachadh, agus mar sin a’ leasachadh cunbhalachd clais thar uachdar a’ chlais. Tha an stuth a’ tabhann strì plasma air leth, neart dielectric àrd (15 × 10⁶ V / m), agus seasmhachd teirmeach suas gu 1600 ° C, a’ dèanamh cinnteach à earbsachd fad-ùine ann an àrainneachdan plasma ionnsaigheach stèidhichte air fluorine no clòirin. Leigidh ID / OD le talamh mionaideach agus rèidh (≤10 μm) le suidheachadh oir a’ chlais suidheachadh ceart, a’ lughdachadh lochdan oir agus gineadh mìrean.
-
Fàinne Ceirmeag Alumina Àrd-ghlanachd airson Seòmraichean Pròiseas CVD / PVD
Tha fàinne ceirmeag St.Cera air a dhealbhadh gu sònraichte airson a chleachdadh ann an seòmraichean pròiseas CVD (Chemical Vapor Deposition) agus PVD (Physical Vapor Deposition). Air a dhèanamh bho 99.8% alumina àrd-ghlanachd (Al₂O₃), tha an fhàinne seo na lìnigeadh seòmar, fàinne fòcais, no pàirt pasgan pròiseas gus plasma a chuingealachadh agus ballachan seòmar a dhìon bho chreimeadh. Tha an stuth a’ tabhann strì an aghaidh plasma sàr-mhath, neart dielectric àrd (15 × 10⁶ V / m), agus seasmhachd teirmeach suas gu 1600 ° C, a’ dèanamh cinnteach à beatha seirbheis fhada ann an àrainneachdan plasma stèidhichte air fluorine ionnsaigheach. Bidh fulangas tomhasach mionaideach (± 0.05 mm air ID / OD) agus rèidh (≤10 μm) a’ comasachadh suidheachadh oir wafer cunbhalach, a’ leasachadh cunbhalachd tasgadh agus a’ lughdachadh gineadh mìrean.
-
Bernoulli Ceramic End Effector — Làimhseachadh Wafer Neo-chonaltraidh airson Wafers Tana is Brisidh
Bidh buaidh-chrìche ceirmeag Bernoulli aig St.Cera a’ cleachdadh togail aerodynamic gus wafers a làimhseachadh gun conaltradh corporra. Air a dhèanamh bho 99.8% alumina (Al₂O₃) no silicon carbide (SiC) àrd-ghlanachd, tha ceann-bheòil innealaichte gu mionaideach ann a bhios a’ tilgeil a-mach gas fo chuideam gus film èadhair tana a chruthachadh eadar an buaidh-chrìche agus an wafer. Bidh am prionnsapal neo-chontact seo a’ cuir às do thruailleadh cùil, sgoltadh oir, agus milleadh uachdar, ga dhèanamh freagarrach airson wafers tana (≤100 μm), brisg, no cam. Tha an t-substrate ceirmeag a’ toirt seachad neart lùbadh àrd (361 MPa airson Al₂O₃; suas ri 550–600 MPa airson SiC), mais ìosal, agus seasmhachd tomhasach sàr-mhath, a’ dèanamh cinnteach à suidheachadh ath-aithris ann an robotaichean gluasaid wafer aig astar luath.
