-
Al2O3 ਸਿਰੇਮਿਕ ਵੇਫਰ ਚੱਕ ਦੀ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ
ਠੰਡੇ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਹੇਠ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਫਿਰ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਮਸ਼ੀਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਅਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪੇਅਰ ਪਾਰਟਸ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀਆਂ ਕਿਸੇ ਵੀ ਸਖ਼ਤ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਅਤੇ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਵੈਕਿਊਮ ਜਾਂ ਖੋਰ ਗੈਸ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਲਈ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ।
ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ ਪਾਊਡਰ ਤੋਂ ਬਣਿਆ, ਕੋਲਡ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਅਤੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਫਿਨਿਸ਼ਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, ਇਹ ±0.001 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਸਤਹ ਫਿਨਿਸ਼ Ra 0.1, ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 1600℃ ਤੱਕ ਮਾਪ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ।
-
ST.CERA ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣ ਸਿਰੇਮਿਕ ਪਲੇਟ
ਠੰਡੇ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਹੇਠ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਫਿਰ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਮਸ਼ੀਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਅਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪੇਅਰ ਪਾਰਟਸ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀਆਂ ਕਿਸੇ ਵੀ ਸਖ਼ਤ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਅਤੇ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਵੈਕਿਊਮ ਜਾਂ ਖੋਰ ਗੈਸ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਲਈ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ।
ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ ਪਾਊਡਰ ਤੋਂ ਬਣਿਆ, ਕੋਲਡ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਅਤੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਫਿਨਿਸ਼ਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, ਇਹ ±0.001 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਸਤਹ ਫਿਨਿਸ਼ Ra 0.1, ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 1600℃ ਤੱਕ ਮਾਪ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ।
-
300mm ਵੇਫਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਲਈ 12-ਇੰਚ ਐਲੂਮਿਨਾ ਵੈਕਿਊਮ ਚੱਕ
ਸੇਂਟ ਸੇਰਾ ਦਾ 12-ਇੰਚ ਵੈਕਿਊਮ ਚੱਕ 300mm ਵੇਫਰ ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਲਈ 99.8% ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ (Al₂O₃) ਤੋਂ ਸ਼ੁੱਧਤਾ-ਇੰਜੀਨੀਅਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਚੱਕ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਬਰੀਕ-ਗਰੂਵ ਸਤਹ (ਗਰੂਵ ਚੌੜਾਈ 0.5–1.0 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਪਿੱਚ 2–3 ਮਿਲੀਮੀਟਰ) ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਪੂਰੇ 300mm ਵਿਆਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕਸਾਰ ਵੈਕਿਊਮ ਵੰਡ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕੇ। ਸਮਤਲਤਾ 5 μm ਦੇ ਅੰਦਰ ਬਣਾਈ ਰੱਖੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਡਾਈਸਿੰਗ, ਬੈਕਸਾਈਡ ਪੀਸਣ ਅਤੇ ਨਿਰੀਖਣ ਦੌਰਾਨ ਵਾਰਪ-ਮੁਕਤ ਵੇਫਰ ਫਿਕਸੇਸ਼ਨ ਸੰਭਵ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਉੱਚ ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ (361 MPa) ਅਤੇ ਕਠੋਰਤਾ (16 GPa) ਵਾਰ-ਵਾਰ ਵੈਕਿਊਮ ਚੱਕਰਾਂ ਦੇ ਅਧੀਨ ਵੀ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਦੀ ਅਯਾਮੀ ਸਥਿਰਤਾ ਦੀ ਗਰੰਟੀ ਦਿੰਦੀ ਹੈ।
-
ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਵੈਕਿਊਮ ਚੈਨਲਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਐਲੂਮਿਨਾ ਸਿਰੇਮਿਕ ਐਂਡ ਇਫੈਕਟਰ
ਸੇਂਟ ਸੇਰਾ ਦਾ ਐਲੂਮਿਨਾ ਵੈਕਿਊਮ ਐਂਡ ਇਫੈਕਟਰ ਸ਼ੁੱਧਤਾ-ਮਸ਼ੀਨ ਵਾਲੇ ਵੈਕਿਊਮ ਚੈਨਲਾਂ ਅਤੇ ਚੂਸਣ ਵਾਲੇ ਛੇਕਾਂ ਨੂੰ ਸਿੱਧੇ 99.8% ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ ਬਾਡੀ ਵਿੱਚ ਜੋੜਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਬਾਹਰੀ ਵੈਕਿਊਮ ਪੈਡਾਂ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਇਕਸਾਰ ਹੋਲਡਿੰਗ ਫੋਰਸ ਨਾਲ ਸਿੱਧਾ ਵੇਫਰ ਪਿਕਅੱਪ ਸੰਭਵ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਉੱਚ ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ (361 MPa) ਅਤੇ ਕਠੋਰਤਾ (16 GPa) ਵਾਰ-ਵਾਰ ਵੈਕਿਊਮ ਚੱਕਰਾਂ ਦੇ ਅਧੀਨ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਦੀ ਅਯਾਮੀ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਪੈਡ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਸਮਤਲਤਾ 10 μm ਦੇ ਅੰਦਰ ਬਣਾਈ ਰੱਖੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਵੇਫਰ ਤਣਾਅ ਅਤੇ ਟੁੱਟਣ ਨੂੰ ਰੋਕਦੀ ਹੈ। ਵੈਕਿਊਮ ਪੋਰਟ OEM ਰੋਬੋਟ ਹਥਿਆਰਾਂ ਨਾਲ ਆਸਾਨ ਏਕੀਕਰਨ ਲਈ ਪਿਛਲੇ ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਫਲੈਂਜ 'ਤੇ ਸਥਿਤ ਹਨ।
-
ਸਥਿਰ-ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਵੇਫਰ ਹੈਂਡਲਿੰਗ ਲਈ ESD-ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਐਲੂਮਿਨਾ ਸਿਰੇਮਿਕ ਪਾਰਟਸ
ਸੇਂਟ ਸੇਰਾ ਦੇ ESD (ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਟੈਟਿਕ ਡਿਸਚਾਰਜ) ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਐਲੂਮਿਨਾ ਸਿਰੇਮਿਕ ਹਿੱਸੇ 99.8% ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ Al₂O₃ ਤੋਂ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ ਜਿਸਦੀ ਸਤਹ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ 10⁶–10⁹ Ω/ਵਰਗ ਵਰਗ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਮਲਕੀਅਤ ਡੋਪਿੰਗ ਜਾਂ ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਹਿੱਸੇ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਸਥਿਰ ਚਾਰਜ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਵੇਫਰਾਂ ਅਤੇ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਟੈਟਿਕ ਨੁਕਸਾਨ ਤੋਂ ਬਚਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਬੇਸ ਸਮੱਗਰੀ ਆਪਣੀ ਉੱਚ ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ (361 MPa), ਕਠੋਰਤਾ (16 GPa), ਅਤੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਤਾਕਤ (15×10⁶ V/m) ਨੂੰ ਬਰਕਰਾਰ ਰੱਖਦੀ ਹੈ। ESD-ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਸਿਰੇਮਿਕ ਹਿੱਸਿਆਂ ਵਿੱਚ ਅੰਤ ਪ੍ਰਭਾਵਕ, ਲਿਫਟ ਪਿੰਨ, ਗਾਈਡ ਰੇਲ ਅਤੇ FAB ਆਟੋਮੇਸ਼ਨ ਲਈ ਕਸਟਮ ਫਿਕਸਚਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
-
ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰੋਬ ਉਪਕਰਣ ਲਈ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪੇਅਰ ਪਾਰਟਸ
ਠੰਡੇ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਹੇਠ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਫਿਰ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਮਸ਼ੀਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਅਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪੇਅਰ ਪਾਰਟਸ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀਆਂ ਕਿਸੇ ਵੀ ਸਖ਼ਤ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਅਤੇ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਵੈਕਿਊਮ ਜਾਂ ਖੋਰ ਗੈਸ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਲਈ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ।
ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ ਪਾਊਡਰ ਤੋਂ ਬਣਿਆ, ਕੋਲਡ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਅਤੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਫਿਨਿਸ਼ਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, ਇਹ ±0.001 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਸਤਹ ਫਿਨਿਸ਼ Ra 0.1, ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 1600℃ ਤੱਕ ਮਾਪ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ।
-
ਸਿਰੇਮਿਕ ਪਲੇਟ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣ ਕੈਰੀਅਰ
ਠੰਡੇ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਹੇਠ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਫਿਰ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਮਸ਼ੀਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਅਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪੇਅਰ ਪਾਰਟਸ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀਆਂ ਕਿਸੇ ਵੀ ਸਖ਼ਤ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਅਤੇ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਵੈਕਿਊਮ ਜਾਂ ਖੋਰ ਗੈਸ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਲਈ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ।
ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ ਪਾਊਡਰ ਤੋਂ ਬਣਿਆ, ਕੋਲਡ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਅਤੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਫਿਨਿਸ਼ਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, ਇਹ ±0.001 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਸਤਹ ਫਿਨਿਸ਼ Ra 0.1, ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 1600℃ ਤੱਕ ਮਾਪ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ।
-
ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪੇਅਰ ਪਾਰਟਸ
ਠੰਡੇ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਹੇਠ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਫਿਰ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਮਸ਼ੀਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਅਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪੇਅਰ ਪਾਰਟਸ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀਆਂ ਕਿਸੇ ਵੀ ਸਖ਼ਤ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਅਤੇ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ, ਵੈਕਿਊਮ ਜਾਂ ਖੋਰ ਗੈਸ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਲਈ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ।
ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ ਪਾਊਡਰ ਤੋਂ ਬਣਿਆ, ਕੋਲਡ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈਸਿੰਗ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਅਤੇ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਫਿਨਿਸ਼ਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, ਇਹ ±0.001 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਸਤਹ ਫਿਨਿਸ਼ Ra 0.1, ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 1600℃ ਤੱਕ ਮਾਪ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ।
-
ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਚੈਂਬਰ ਸੀਲਿੰਗ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੀ ਐਲੂਮਿਨਾ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸੀਲ ਰਿੰਗ
ਸੇਂਟ ਸੇਰਾ ਦੀ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸੀਲ ਰਿੰਗ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਪੋਲੀਮਰ ਓ-ਰਿੰਗਾਂ ਦੇ ਵਿਕਲਪ ਵਜੋਂ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਇਲਾਸਟੋਮਰ ਘਟਦੇ ਹਨ। 99.8% ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ (Al₂O₃) ਤੋਂ ਨਿਰਮਿਤ, ਇਹ ਸਖ਼ਤ ਸੀਲ ਰਿੰਗ ਸਥਿਰ ਸੀਲਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ - ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੱਕ ਨਰਮ ਧਾਤ ਜਾਂ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਗੈਸਕੇਟ ਨਾਲ ਜੋੜੀ ਬਣਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ - 800°C ਤੱਕ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਅਤੇ ਹਮਲਾਵਰ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਜਾਂ ਰਸਾਇਣਕ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਵੈਕਿਊਮ ਜਾਂ ਗੈਸ ਕੰਟੇਨਮੈਂਟ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ। ਇਹ ਸਮੱਗਰੀ ਜ਼ੀਰੋ ਆਊਟਗੈਸਿੰਗ, ਉੱਚ ਸੰਕੁਚਿਤ ਤਾਕਤ (ਅੰਡਰਲਾਈੰਗ ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ 361 MPa), ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਜੜਤਾ (HF ਨੂੰ ਛੱਡ ਕੇ ਹੈਲੋਜਨ, ਐਸਿਡ ਅਤੇ ਖਾਰੀ ਪ੍ਰਤੀ ਰੋਧਕ) ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਸ਼ੁੱਧਤਾ-ਲੈਪਡ ਸੀਲਿੰਗ ਸਤਹਾਂ (ਚਪਟਾਪਨ ≤5 μm, ਸਤਹ ਖੁਰਦਰੀ Ra ≤0.2 μm) ਮੇਲਣ ਵਾਲੀ ਧਾਤ ਜਾਂ ਸਿਰੇਮਿਕ ਹਿੱਸਿਆਂ ਨਾਲ ਲੀਕ-ਤੰਗ ਸੰਪਰਕ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
-
ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਐਚ ਅਤੇ ਸੀਵੀਡੀ ਸਿਸਟਮ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਐਲੂਮਿਨਾ ਚੈਂਬਰ ਫੋਕਸ ਰਿੰਗ
ਸੇਂਟ ਸੇਰਾ ਦਾ ਚੈਂਬਰ ਫੋਕਸ ਰਿੰਗ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਿੱਟ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਹੈ ਜੋ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਐਚ, ਸੀਵੀਡੀ, ਅਤੇ ਪੀਵੀਡੀ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। 99.8% ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ (Al₂O₃) ਤੋਂ ਨਿਰਮਿਤ, ਇਹ ਰਿੰਗ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਨੂੰ ਸੀਮਤ ਕਰਨ ਅਤੇ ਆਇਨ ਐਂਗੁਲਰ ਵੰਡ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵੇਫਰ ਕਿਨਾਰੇ ਨੂੰ ਘੇਰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਵੇਫਰ ਸਤ੍ਹਾ ਵਿੱਚ ਐਚ ਇਕਸਾਰਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਸਮੱਗਰੀ ਬੇਮਿਸਾਲ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉੱਚ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਤਾਕਤ (15×10⁶ V/m), ਅਤੇ 1600°C ਤੱਕ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਹਮਲਾਵਰ ਫਲੋਰੀਨ- ਜਾਂ ਕਲੋਰੀਨ-ਅਧਾਰਤ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਦੀ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਸ਼ੁੱਧਤਾ-ਜ਼ਮੀਨ ID/OD ਅਤੇ ਸਮਤਲਤਾ (≤10 μm) ਸਹੀ ਵੇਫਰ ਕਿਨਾਰੇ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਕਿਨਾਰੇ ਦੇ ਨੁਕਸ ਅਤੇ ਕਣ ਉਤਪਾਦਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੀ ਹੈ।
-
ਸੀਵੀਡੀ / ਪੀਵੀਡੀ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਚੈਂਬਰਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੀ ਐਲੂਮਿਨਾ ਸਿਰੇਮਿਕ ਰਿੰਗ
ਸੇਂਟ ਸੇਰਾ ਦੀ ਸਿਰੇਮਿਕ ਰਿੰਗ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ CVD (ਕੈਮੀਕਲ ਵਾਸ਼ਪ ਡਿਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ) ਅਤੇ PVD (ਭੌਤਿਕ ਵਾਸ਼ਪ ਡਿਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ) ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਚੈਂਬਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੋਂ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ। 99.8% ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਐਲੂਮਿਨਾ (Al₂O₃) ਤੋਂ ਨਿਰਮਿਤ, ਇਹ ਰਿੰਗ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਨੂੰ ਸੀਮਤ ਕਰਨ ਅਤੇ ਚੈਂਬਰ ਦੀਆਂ ਕੰਧਾਂ ਨੂੰ ਕਟੌਤੀ ਤੋਂ ਬਚਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਚੈਂਬਰ ਲਾਈਨਰ, ਫੋਕਸ ਰਿੰਗ, ਜਾਂ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਿੱਟ ਹਿੱਸੇ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਸਮੱਗਰੀ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉੱਚ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਤਾਕਤ (15×10⁶ V/m), ਅਤੇ 1600°C ਤੱਕ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਹਮਲਾਵਰ ਫਲੋਰੀਨ-ਅਧਾਰਤ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਲੰਬੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਸਟੀਕ ਅਯਾਮੀ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ (ID/OD 'ਤੇ ±0.05 mm) ਅਤੇ ਸਮਤਲਤਾ (≤10 μm) ਇਕਸਾਰ ਵੇਫਰ ਕਿਨਾਰੇ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਜਮ੍ਹਾਂ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਕਣ ਉਤਪਾਦਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੀ ਹੈ।
-
ਬਰਨੌਲੀ ਸਿਰੇਮਿਕ ਐਂਡ ਇਫੈਕਟਰ — ਪਤਲੇ ਅਤੇ ਨਾਜ਼ੁਕ ਵੇਫਰਾਂ ਲਈ ਗੈਰ-ਸੰਪਰਕ ਵੇਫਰ ਹੈਂਡਲਿੰਗ
ਸੇਂਟ ਸੇਰਾ ਦਾ ਬਰਨੌਲੀ ਸਿਰੇਮਿਕ ਐਂਡ ਇਫੈਕਟਰ ਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਭੌਤਿਕ ਸੰਪਰਕ ਦੇ ਵੇਫਰਾਂ ਨੂੰ ਸੰਭਾਲਣ ਲਈ ਐਰੋਡਾਇਨਾਮਿਕ ਲਿਫਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ 99.8% ਐਲੂਮਿਨਾ (Al₂O₃) ਜਾਂ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਤੋਂ ਨਿਰਮਿਤ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ-ਮਸ਼ੀਨ ਵਾਲੇ ਨੋਜ਼ਲ ਹਨ ਜੋ ਐਂਡ ਇਫੈਕਟਰ ਅਤੇ ਵੇਫਰ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਪਤਲੀ ਹਵਾ ਫਿਲਮ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਦਬਾਅ ਵਾਲੀ ਗੈਸ ਨੂੰ ਬਾਹਰ ਕੱਢਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਗੈਰ-ਸੰਪਰਕ ਸਿਧਾਂਤ ਪਿਛਲੇ ਪਾਸੇ ਦੀ ਗੰਦਗੀ, ਕਿਨਾਰੇ ਦੀ ਚਿੱਪਿੰਗ ਅਤੇ ਸਤਹ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸਨੂੰ ਪਤਲੇ (≤100 μm), ਨਾਜ਼ੁਕ, ਜਾਂ ਵਿਗੜੇ ਹੋਏ ਵੇਫਰਾਂ ਲਈ ਆਦਰਸ਼ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਚ ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ (Al₂O₃ ਲਈ 361 MPa; SiC ਲਈ 550-600 MPa ਤੱਕ), ਘੱਟ ਪੁੰਜ, ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਅਯਾਮੀ ਸਥਿਰਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਵੇਫਰ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਰੋਬੋਟਾਂ ਵਿੱਚ ਦੁਹਰਾਉਣ ਯੋਗ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
