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Procesamiento personalizado de porta-obleas de cerámica de Al2O3
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Placa cerámica para equipos semiconductores personalizados de ST.CERA
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Plato de vacío de alúmina de 12 pulgadas para el procesamiento de obleas de 300 mm.
El plato de vacío de 12 pulgadas de St.Cera está diseñado con precisión a partir de alúmina (Al₂O₃) de alta pureza (99,8 %) para la manipulación de obleas de 300 mm. El plato presenta una superficie con ranuras finas (ancho de ranura de 0,5 a 1,0 mm, paso de 2 a 3 mm) para garantizar una distribución uniforme del vacío en todo el diámetro de 300 mm. La planitud se mantiene dentro de 5 μm, lo que permite una fijación sin deformaciones de la oblea durante el corte, el rectificado de la cara posterior y la inspección. La alta resistencia a la flexión (361 MPa) y la dureza (16 GPa) del material garantizan una estabilidad dimensional a largo plazo incluso bajo ciclos de vacío repetidos.
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Efector final de cerámica de alúmina con canales de vacío integrados
El efector final de vacío de alúmina de St.Cera integra canales de vacío y orificios de succión mecanizados con precisión directamente en el cuerpo de alúmina de alta pureza (99,8 %). Este diseño elimina las almohadillas de vacío externas, lo que permite la recogida directa de la oblea con una fuerza de sujeción uniforme. La alta resistencia a la flexión (361 MPa) y la dureza (16 GPa) del material garantizan una estabilidad dimensional a largo plazo bajo ciclos de vacío repetidos. La planitud en toda el área de la almohadilla se mantiene dentro de 10 μm, lo que evita la tensión y la rotura de la oblea. Los puertos de vacío están ubicados en la brida de montaje trasera para una fácil integración con brazos robóticos OEM.
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Componentes cerámicos de alúmina antiestáticos para la manipulación de obleas sensibles a la estática.
Las piezas cerámicas de alúmina ESD (descarga electrostática) de St.Cera se fabrican con Al₂O₃ de alta pureza (99,8 %) y presentan una resistividad superficial optimizada de 10⁶–10⁹ Ω/sq, lograda mediante un proceso patentado de dopaje o recubrimiento. Estas piezas disipan eficazmente la carga estática, evitando daños electrostáticos en obleas y dispositivos semiconductores sensibles. El material base conserva su alta resistencia a la flexión (361 MPa), dureza (16 GPa) y rigidez dieléctrica (15 × 10⁶ V/m). Entre las piezas cerámicas ESD se incluyen efectores finales, pasadores de elevación, guías y accesorios personalizados para la automatización de la fabricación aditiva (FAB).
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Repuestos cerámicos para equipos de sonda de semiconductores
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Portador de equipos semiconductores de placa cerámica
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Repuestos cerámicos para equipos semiconductores
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Anillo de sellado cerámico de alúmina de alta pureza para el sellado de cámaras de alta temperatura.
El anillo de sellado cerámico de St.Cera está diseñado como una alternativa a las juntas tóricas de polímero en entornos extremos donde los elastómeros se degradan. Fabricado con alúmina de alta pureza (Al₂O₃) al 99,8 %, este anillo de sellado rígido se utiliza en aplicaciones de sellado estático —generalmente combinado con una junta de metal blando o grafito— para proporcionar un vacío o contención de gases fiable a temperaturas de hasta 800 °C y en entornos agresivos de plasma o químicos. El material ofrece cero desgasificación, alta resistencia a la compresión (resistencia a la flexión subyacente de 361 MPa) e inercia química (resistente a halógenos, ácidos y álcalis, excepto HF). Las superficies de sellado lapeadas con precisión (planitud ≤5 μm, rugosidad superficial Ra ≤0,2 μm) garantizan un contacto hermético con los componentes metálicos o cerámicos correspondientes.
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Anillo de enfoque de cámara de alúmina de alta pureza para sistemas de grabado por plasma y CVD.
El anillo de enfoque de la cámara de St.Cera es un componente crítico del kit de proceso utilizado en equipos de grabado por plasma, CVD y PVD para semiconductores. Fabricado con alúmina de alta pureza (Al₂O₃) al 99,8 %, el anillo rodea el borde de la oblea para confinar el plasma y optimizar la distribución angular de los iones, mejorando así la uniformidad del grabado en toda la superficie de la oblea. El material ofrece una excepcional resistencia al plasma, una alta rigidez dieléctrica (15 × 10⁶ V/m) y una estabilidad térmica de hasta 1600 °C, lo que garantiza una fiabilidad a largo plazo en entornos de plasma agresivos a base de flúor o cloro. El diámetro interior/exterior rectificado con precisión y la planitud (≤10 μm) permiten un posicionamiento preciso del borde de la oblea, reduciendo los defectos de borde y la generación de partículas.
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Anillo cerámico de alúmina de alta pureza para cámaras de proceso CVD/PVD
El anillo cerámico de St.Cera está diseñado específicamente para su uso en cámaras de proceso CVD (deposición química en fase vapor) y PVD (deposición física en fase vapor). Fabricado con alúmina de alta pureza (Al₂O₃) al 99,8 %, este anillo sirve como revestimiento de cámara, anillo de enfoque o componente de kit de proceso para confinar el plasma y proteger las paredes de la cámara de la erosión. El material ofrece una excelente resistencia al plasma, una alta rigidez dieléctrica (15 × 10⁶ V/m) y una estabilidad térmica de hasta 1600 °C, lo que garantiza una larga vida útil en entornos de plasma agresivos a base de flúor. Las tolerancias dimensionales precisas (±0,05 mm en DI/DE) y la planitud (≤10 μm) permiten un posicionamiento consistente del borde de la oblea, mejorando la uniformidad de la deposición y reduciendo la generación de partículas.
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Efector final cerámico Bernoulli: manipulación sin contacto de obleas delgadas y frágiles.
El efector final cerámico Bernoulli de St.Cera utiliza sustentación aerodinámica para manipular obleas sin contacto físico. Fabricado con alúmina (Al₂O₃) o carburo de silicio (SiC) de alta pureza (99,8 %), incorpora boquillas mecanizadas con precisión que expulsan gas a presión para crear una fina película de aire entre el efector final y la oblea. Este principio sin contacto elimina la contaminación de la parte posterior, el astillamiento de los bordes y los daños en la superficie, lo que lo hace ideal para obleas delgadas (≤100 μm), frágiles o deformadas. El sustrato cerámico ofrece una alta resistencia a la flexión (361 MPa para Al₂O₃; hasta 550–600 MPa para SiC), baja masa y excelente estabilidad dimensional, lo que garantiza un posicionamiento repetible en robots de transferencia de obleas de alta velocidad.
