-
Pasadyang Pagproseso ng Al2O3 Ceramic Wafer Chuck
Nabuo sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing at sininter sa ilalim ng mataas na temperatura, pagkatapos ay precision machined at pinakintab, ang mga ekstrang bahagi ng ceramic ay maaaring matugunan ang anumang mahigpit na pangangailangan ng kagamitang semiconductor dahil sa mga katangian nito ng wear resistance, corrosion resistance, mababang thermal expansion, at insulation. Ang mga seramika ay maaaring gamitin sa maraming uri ng kagamitan sa produksyon ng semiconductor na may kondisyon ng mataas na temperatura, vacuum o corrosive gas sa loob ng mahabang panahon.
Ginawa mula sa mataas na kadalisayan na alumina powder, pinoproseso sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing, high temperature sintering at precision finishing, maaari itong umabot sa dimension tolerance na ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, at temperature resistance na 1600℃.
-
ST.CERA Customized na Kagamitan sa Semiconductor na Seramik na Plato
Nabuo sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing at sininter sa ilalim ng mataas na temperatura, pagkatapos ay precision machined at pinakintab, ang mga ekstrang bahagi ng ceramic ay maaaring matugunan ang anumang mahigpit na pangangailangan ng kagamitang semiconductor dahil sa mga katangian nito ng wear resistance, corrosion resistance, mababang thermal expansion, at insulation. Ang mga seramika ay maaaring gamitin sa maraming uri ng kagamitan sa produksyon ng semiconductor na may kondisyon ng mataas na temperatura, vacuum o corrosive gas sa loob ng mahabang panahon.
Ginawa mula sa mataas na kadalisayan na alumina powder, pinoproseso sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing, high temperature sintering at precision finishing, maaari itong umabot sa dimension tolerance na ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, at temperature resistance na 1600℃.
-
12-Pulgadang Alumina Vacuum Chuck para sa 300mm na Pagproseso ng Wafer
Ang 12-pulgadang vacuum chuck ng St.Cera ay gawa sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃) para sa 300mm wafer handling. Ang chuck ay may pinong uka sa ibabaw (lapad ng uka 0.5–1.0 mm, pitch 2–3 mm) upang matiyak ang pantay na distribusyon ng vacuum sa buong 300mm diameter. Ang pagiging patag ay pinapanatili sa loob ng 5 μm, na nagbibigay-daan sa pag-aayos ng wafer na walang warp habang dicing, paggiling sa likuran, at inspeksyon. Ang mataas na flexural strength (361 MPa) at katigasan (16 GPa) ng materyal ay ginagarantiyahan ang pangmatagalang dimensional stability kahit na sa ilalim ng paulit-ulit na vacuum cycle.
-
Alumina Ceramic End Effector na may Pinagsamang Vacuum Channels
Ang alumina vacuum end effector ng St.Cera ay nagsasama ng mga vacuum channel at suction hole na may precision-machined na makina nang direkta sa 99.8% high-purity alumina body. Inaalis ng disenyong ito ang mga external vacuum pad, na nagbibigay-daan sa direktang pagkuha ng wafer na may pare-parehong puwersa ng paghawak. Tinitiyak ng mataas na flexural strength (361 MPa) at katigasan (16 GPa) ng materyal ang pangmatagalang dimensional stability sa ilalim ng paulit-ulit na vacuum cycle. Ang pagiging patag sa buong pad area ay pinapanatili sa loob ng 10 μm, na pumipigil sa wafer stress at pagkabasag. Ang mga vacuum port ay matatagpuan sa rear mounting flange para sa madaling pagsasama sa mga OEM robot arms.
-
Mga Bahaging ESD-Safe na Alumina Ceramic para sa Paghawak ng Static-Sensitive Wafer
Ang mga bahaging alumina ceramic na ligtas sa ESD (electrostatic discharge) ng St.Cera ay gawa mula sa 99.8% high-purity na Al₂O₃ na may tailored surface resistivity na 10⁶–10⁹ Ω/sq, na nakakamit sa pamamagitan ng isang proprietary doping o coating process. Ang mga bahaging ito ay epektibong nagpapakalat ng static charge, na pumipigil sa electrostatic damage sa mga sensitibong semiconductor wafer at device. Pinapanatili ng base material ang mataas na flexural strength (361 MPa), hardness (16 GPa), at dielectric strength (15×10⁶ V/m). Kasama sa mga bahaging ceramic na ligtas sa ESD ang mga end effector, lift pin, guide rail, at mga custom fixture para sa FAB automation.
-
Mga Karamik na Bahagi para sa Kagamitan sa Semiconductor Probe
Nabuo sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing at sininter sa ilalim ng mataas na temperatura, pagkatapos ay precision machined at pinakintab, ang mga ekstrang bahagi ng ceramic ay maaaring matugunan ang anumang mahigpit na pangangailangan ng kagamitang semiconductor dahil sa mga katangian nito ng wear resistance, corrosion resistance, mababang thermal expansion, at insulation. Ang mga seramika ay maaaring gamitin sa maraming uri ng kagamitan sa produksyon ng semiconductor na may kondisyon ng mataas na temperatura, vacuum o corrosive gas sa loob ng mahabang panahon.
Ginawa mula sa mataas na kadalisayan na alumina powder, pinoproseso sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing, high temperature sintering at precision finishing, maaari itong umabot sa dimension tolerance na ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, at temperature resistance na 1600℃.
-
Tagadala ng Kagamitan sa Semiconductor ng Ceramic Plate
Nabuo sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing at sininter sa ilalim ng mataas na temperatura, pagkatapos ay precision machined at pinakintab, ang mga ekstrang bahagi ng ceramic ay maaaring matugunan ang anumang mahigpit na pangangailangan ng kagamitang semiconductor dahil sa mga katangian nito ng wear resistance, corrosion resistance, mababang thermal expansion, at insulation. Ang mga seramika ay maaaring gamitin sa maraming uri ng kagamitan sa produksyon ng semiconductor na may kondisyon ng mataas na temperatura, vacuum o corrosive gas sa loob ng mahabang panahon.
Ginawa mula sa mataas na kadalisayan na alumina powder, pinoproseso sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing, high temperature sintering at precision finishing, maaari itong umabot sa dimension tolerance na ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, at temperature resistance na 1600℃.
-
Mga Kagamitang Semiconductor at mga Bahaging Seramik
Nabuo sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing at sininter sa ilalim ng mataas na temperatura, pagkatapos ay precision machined at pinakintab, ang mga ekstrang bahagi ng ceramic ay maaaring matugunan ang anumang mahigpit na pangangailangan ng kagamitang semiconductor dahil sa mga katangian nito ng wear resistance, corrosion resistance, mababang thermal expansion, at insulation. Ang mga seramika ay maaaring gamitin sa maraming uri ng kagamitan sa produksyon ng semiconductor na may kondisyon ng mataas na temperatura, vacuum o corrosive gas sa loob ng mahabang panahon.
Ginawa mula sa mataas na kadalisayan na alumina powder, pinoproseso sa pamamagitan ng malamig na isostatic pressing, high temperature sintering at precision finishing, maaari itong umabot sa dimension tolerance na ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, at temperature resistance na 1600℃.
-
Singsing na Selyo na may Mataas na Kadalisayan na Alumina Ceramic para sa Pagbubuklod ng Silid na may Mataas na Temperatura
Ang ceramic seal ring ng St.Cera ay dinisenyo bilang alternatibo sa polymer O-rings sa matinding kapaligiran kung saan nasisira ang mga elastomer. Ginawa mula sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), ang matibay na seal ring na ito ay ginagamit sa mga aplikasyon ng static sealing — karaniwang ipinapares sa isang malambot na metal o graphite gasket — upang magbigay ng maaasahang vacuum o gas containment sa mga temperaturang hanggang 800°C at sa agresibong plasma o kemikal na kapaligiran. Ang materyal ay nag-aalok ng zero outgassing, mataas na compressive strength (pinagbabatayang flexural strength 361 MPa), at chemical inertness (lumalaban sa mga halogen, acid, at alkali maliban sa HF). Ang mga precision-lapped sealing surface (flatness ≤5 μm, surface roughness Ra ≤0.2 μm) ay nagsisiguro na hindi tumatagas ang kontak sa mga kaparehong metal o ceramic component.
-
High-Purity Alumina Chamber Focus Ring para sa Plasma Etch at CVD Systems
Ang chamber focus ring ng St.Cera ay isang kritikal na bahagi ng process kit na ginagamit sa mga kagamitan sa plasma etch, CVD, at PVD semiconductor. Ginawa mula sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), ang singsing ay nakapalibot sa gilid ng wafer upang limitahan ang plasma at i-optimize ang ion angular distribution, sa gayon ay pinapabuti ang pagkakapareho ng etch sa buong ibabaw ng wafer. Ang materyal ay nag-aalok ng pambihirang plasma resistance, mataas na dielectric strength (15×10⁶ V/m), at thermal stability hanggang 1600°C, na tinitiyak ang pangmatagalang pagiging maaasahan sa agresibong fluorine o chlorine-based na plasma environment. Ang precision-ground ID/OD at flatness (≤10 μm) ay nagbibigay-daan sa tumpak na pagpoposisyon ng gilid ng wafer, na binabawasan ang mga depekto sa gilid at pagbuo ng particle.
-
Singsing na Seramik na Alumina na may Mataas na Kadalisayan para sa mga Silid ng Proseso ng CVD / PVD
Ang ceramic ring ng St.Cera ay partikular na idinisenyo para gamitin sa mga silid ng proseso ng CVD (Chemical Vapor Deposition) at PVD (Physical Vapor Deposition). Ginawa mula sa 99.8% high-purity alumina (Al₂O₃), ang singsing na ito ay nagsisilbing chamber liner, focus ring, o bahagi ng process kit upang ikulong ang plasma at protektahan ang mga dingding ng silid mula sa erosyon. Ang materyal ay nag-aalok ng mahusay na plasma resistance, mataas na dielectric strength (15×10⁶ V/m), at thermal stability hanggang 1600°C, na tinitiyak ang mahabang buhay ng serbisyo sa agresibong fluorine-based na mga kapaligiran ng plasma. Ang tumpak na dimensional tolerances (±0.05 mm sa ID/OD) at flatness (≤10 μm) ay nagbibigay-daan sa pare-parehong pagpoposisyon ng gilid ng wafer, na nagpapabuti sa pagkakapareho ng deposition at binabawasan ang pagbuo ng particle.
-
Bernoulli Ceramic End Effector — Non-Contact Wafer Handling para sa Manipis at Marupok na mga Wafer
Ang Bernoulli ceramic end effector ng St.Cera ay gumagamit ng aerodynamic lift upang hawakan ang mga wafer nang walang pisikal na kontak. Ginawa mula sa mataas na kadalisayan na 99.8% alumina (Al₂O₃) o silicon carbide (SiC), nagtatampok ito ng mga precision-machined nozzle na naglalabas ng pressurized gas upang lumikha ng manipis na air film sa pagitan ng end effector at ng wafer. Ang non-contact principle na ito ay nag-aalis ng kontaminasyon sa likuran, pagkapira-piraso ng gilid, at pinsala sa ibabaw, kaya mainam ito para sa manipis (≤100 μm), marupok, o baluktot na mga wafer. Ang ceramic substrate ay nagbibigay ng mataas na flexural strength (361 MPa para sa Al₂O₃; hanggang 550–600 MPa para sa SiC), mababang masa, at mahusay na dimensional stability, na tinitiyak ang paulit-ulit na pagpoposisyon sa mga high-speed wafer transfer robot.
