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Al2O3セラミックウェハーチャックのカスタマイズ加工
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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ST.CERA社製カスタム半導体製造装置用セラミックプレート
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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300mmウェハ加工用12インチアルミナ真空チャック
St.Cera社の12インチ真空チャックは、300mmウェハのハンドリング用に、純度99.8%の高純度アルミナ（Al₂O₃）から精密に設計されています。チャックの表面には、300mm径全体に均一な真空分布を確保するために、微細な溝（溝幅0.5～1.0mm、ピッチ2～3mm）が施されています。平面度は5μm以内に維持され、ダイシング、裏面研削、検査の際にウェハの反りを防止します。この材料は高い曲げ強度（361MPa）と硬度（16GPa）を備えているため、真空サイクルを繰り返しても長期的な寸法安定性が保証されます。
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真空チャネルを内蔵したアルミナセラミック製エンドエフェクター
St.Ceraのアルミナ製真空エンドエフェクタは、99.8%の高純度アルミナ本体に精密加工された真空チャネルと吸引孔を直接組み込んでいます。この設計により外部真空パッドが不要となり、均一な保持力でウェハを直接ピックアップできます。アルミナの高い曲げ強度（361 MPa）と硬度（16 GPa）により、真空サイクルを繰り返しても長期的な寸法安定性が確保されます。パッド領域全体の平面度は10 μm以内に維持され、ウェハの応力や破損を防ぎます。真空ポートは背面取り付けフランジに配置されているため、OEMロボットアームとの統合が容易です。
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静電気に敏感なウェハーの取り扱いに適したESD対応アルミナセラミック部品
St.Cera社のESD（静電気放電）対応アルミナセラミック部品は、99.8%の高純度Al₂O₃を原料とし、独自のドーピングまたはコーティングプロセスによって、10⁶～10⁹Ω/sqの表面抵抗率を実現しています。これらの部品は静電荷を効果的に放散し、高感度な半導体ウェハやデバイスへの静電気による損傷を防ぎます。基材は、高い曲げ強度（361MPa）、硬度（16GPa）、絶縁耐力（15×10⁶V/m）を維持しています。ESD対応セラミック部品には、エンドエフェクタ、リフトピン、ガイドレール、FAB自動化用のカスタム治具などがあります。
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半導体プローブ装置用セラミック製スペアパーツ
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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セラミックプレート半導体製造装置キャリア
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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半導体製造装置用セラミック部品
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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高温チャンバーシール用高純度アルミナセラミックシールリング
St.Ceraのセラミック製シールリングは、エラストマーが劣化する過酷な環境において、ポリマー製Oリングの代替品として設計されています。純度99.8%の高純度アルミナ（Al₂O₃）から製造されたこの剛性の高いシールリングは、静的シール用途（通常は軟質金属またはグラファイト製ガスケットと組み合わせて使用）において、800℃までの温度や、腐食性の高いプラズマ環境または化学環境下でも、真空またはガスを確実に封じ込めます。この材料は、ガス放出ゼロ、高い圧縮強度（曲げ強度361MPa）、および化学的不活性（HFを除くハロゲン、酸、アルカリに耐性）を備えています。精密に研磨されたシール面（平面度≤5μm、表面粗さRa≤0.2μm）により、相手側の金属またはセラミック部品との気密性の高い接触が保証されます。
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プラズマエッチングおよびCVDシステム用高純度アルミナチャンバーフォーカスリング
St.Cera社のチャンバーフォーカスリングは、プラズマエッチング、CVD、PVD半導体製造装置で使用される重要なプロセスキット部品です。純度99.8%の高純度アルミナ（Al₂O₃）から製造されたこのリングは、ウェーハの端を囲むように配置することでプラズマを閉じ込め、イオンの角度分布を最適化し、ウェーハ表面全体のエッチング均一性を向上させます。この材料は、優れた耐プラズマ性、高い絶縁耐力（15×10⁶ V/m）、および1600℃までの熱安定性を備えており、フッ素系または塩素系の過酷なプラズマ環境下でも長期にわたる信頼性を確保します。精密研磨された内径/外径と平面度（≤10 μm）により、ウェーハ端の正確な位置決めが可能となり、端面欠陥や粒子発生を低減します。
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CVD/PVDプロセスチャンバー用高純度アルミナセラミックリング
St.Ceraのセラミックリングは、CVD（化学気相成長法）およびPVD（物理気相成長法）プロセスチャンバーでの使用を想定して特別に設計されています。純度99.8%の高純度アルミナ（Al₂O₃）から製造されたこのリングは、チャンバーライナー、フォーカスリング、またはプロセスキットのコンポーネントとして機能し、プラズマを閉じ込め、チャンバー壁を侵食から保護します。この材料は、優れた耐プラズマ性、高い絶縁耐力（15×10⁶ V/m）、および1600℃までの熱安定性を備えており、腐食性の高いフッ素系プラズマ環境でも長寿命を実現します。精密な寸法公差（内径/外径±0.05 mm）と平面度（≤10 μm）により、ウェーハ端の位置決めが安定し、成膜の均一性が向上し、粒子発生が低減されます。
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ベルヌーイセラミックエンドエフェクタ ― 薄型・脆いウェハーの非接触搬送
St.Cera社のベルヌーイセラミックエンドエフェクタは、空気力学的揚力を利用してウェハーを物理的に接触させることなく搬送します。高純度99.8%アルミナ（Al₂O₃）または炭化ケイ素（SiC）から製造され、精密加工されたノズルから加圧ガスを噴射し、エンドエフェクタとウェハーの間に薄い空気膜を形成します。この非接触方式により、裏面汚染、エッジの欠け、表面損傷が防止され、薄い（≤100 μm）、脆い、または反りのあるウェハーに最適です。セラミック基板は、高い曲げ強度（Al₂O₃で361 MPa、SiCで最大550～600 MPa）、軽量、優れた寸法安定性を備えており、高速ウェハー搬送ロボットでの再現性の高い位置決めを保証します。
