-
Ṣíṣe àdáni ti Al2O3 seramiki wafer Chuck
A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.
A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.
-
ST.CERA Ohun elo Semiconductor ti a ṣe adani Awo Seramiki
A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.
A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.
-
Ẹ̀rọ ìpamọ́ alumina 12-Inch fún ìtọ́jú wafer 300mm
A ṣe àgbékalẹ̀ ìfọ́mọ́ ìfọ́mọ́ ìyẹ́n 12 ti St.Cera láti inú alumina gíga-gíga (Al₂O₃) fún mímú wafer 300mm. Iṣẹ́ náà ní ojú ilẹ̀ tí a fi àlàfo gún (ìwọ̀n ihò 0.5–1.0 mm, ìpele 2–3 mm) láti rí i dájú pé a pín in sí gbogbo ìwọ̀n 300mm. A ń tọ́jú rẹ̀ dáadáa láàrín 5 μm, èyí tí ó ń jẹ́ kí a lè fi wafer tí kò ní ìfọ́mọ́ nígbà tí a bá ń gé e, tí a ń lọ̀ sí ẹ̀yìn, àti tí a ń ṣe àyẹ̀wò rẹ̀. Agbára ìfọ́mọ́ ìfọ́mọ́ ìyẹ́n gíga ti ohun èlò náà (361 MPa) àti líle (16 GPa) ń ṣe ìdánilójú ìdúróṣinṣin oníwọ̀n ìgbà pípẹ́ kódà lábẹ́ àwọn ìyípo ìfọ́mọ́ tí a ń tún ṣe.
-
Alumina Ceramic Effector pẹlu Integrated Vacuum Channels
Ẹ̀rọ ìfàsẹ́yìn alumina vacuum ti St.Cera ń so àwọn ikanni vacuum tí a fi ẹ̀rọ ṣe àti àwọn ihò fífà sínú ara alumina tí ó ní ìmọ́tótó gíga 99.8%. Apẹẹrẹ yìí ń mú àwọn pádì vacuum tí ó wà níta kúrò, èyí tí ó ń jẹ́ kí a gba wafer direct pickup pẹ̀lú agbára ìdúróṣinṣin kan náà. Agbára flexural gíga ti ohun èlò náà (361 MPa) àti líle (16 GPa) ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin ní ìwọ̀n gígùn lábẹ́ àwọn ìyípo vacuum tí a ń tún ṣe. A ń pa ibi tí a fi pad ṣe mọ́ láàrín 10 μm, èyí tí ó ń dènà wahala wafer àti ìfọ́. Àwọn ibùdó vacuum wà ní flange ìfìkọ́lé ẹ̀yìn fún ìsopọ̀ pẹ̀lú àwọn apá robot OEM.
-
Àwọn Ẹ̀yà Seramiki Alumina Ailewu ESD fún Mímú Wafer Onímọ̀lára Láìdúró
Àwọn ẹ̀yà seramiki alumina tó ní ààbò ESD (electrostatic discharge) tí St.Cera ṣe ni a fi 99.8% Al₂O₃ tó ní ìmọ́tótó gíga, tí a ṣe nípasẹ̀ ìlànà doping tàbí coating. Àwọn ẹ̀yà wọ̀nyí máa ń tú agbára ìdúróṣinṣin kúrò, wọ́n sì ń dènà ìbàjẹ́ electrostatic sí àwọn wafers semiconductor tó ní ìmọ̀lára àti àwọn ẹ̀rọ. Ohun èlò ìpìlẹ̀ náà máa ń ní agbára ìfọ́mọ́ra gíga (361 MPa), líle (16 GPa), àti agbára dielectric (15×10⁶ V/m). Àwọn ẹ̀yà seramiki tó ní ààbò ESD ní àwọn ohun èlò ìparí, àwọn pinni gbígbé, àwọn irin ìtọ́sọ́nà, àti àwọn ohun èlò àdáni fún ìdánilẹ́kọ̀ọ́ FAB.
-
Àwọn Ohun Èlò Ìwádìí Semiconductor fún Àwọn Ohun Èlò Ìwádìí Semiconductor
A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.
A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.
-
Ẹrù Ohun Èlò Semiconductor Awo Seramiki
A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.
A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.
-
Ohun elo Semiconductor Awọn ẹya ara Seramiki
A ṣe é nípa títẹ isostatic tútù tí a sì fi síntì lábẹ́ ooru gíga, lẹ́yìn náà a fi ẹ̀rọ tí ó péye ṣe é tí a sì fi dán an wò, àwọn ohun èlò ìtọ́jú seramiki náà lè bá àwọn ohun èlò semiconductor mu pẹ̀lú àwọn ànímọ́ rẹ̀ bíi resistance yíyà, resistance ipata, ìfàsẹ́yìn ooru tí ó lọ sílẹ̀, àti ìdábòbò. Àwọn ohun èlò seramiki lè ṣiṣẹ́ nínú ọ̀pọ̀lọpọ̀ irú ohun èlò ìṣẹ̀dá semiconductor pẹ̀lú ipò otutu gíga, vacuum tàbí corrosion gaasi fún ìgbà pípẹ́.
A ṣe é láti inú lulú alumina tó mọ́ tónítóní, tí a fi ìtẹ̀sí isostatic tútù ṣe, síntering otutu tó ga àti ìparí pípé, ó lè dé ìfaradà ìwọ̀n sí ±0.001 mm, ìparí ojú ilẹ̀ Ra 0.1, ìfaradà otutu sí 1600℃.
-
Òrùka Seal Alumina Alumina Aláìléwu Gíga fún Ìdìdì Iyẹwu Gíga Gíga
A ṣe òrùka seramiki ti St.Cera gẹ́gẹ́ bí àyípadà sí àwọn òrùka O-polymer ní àwọn àyíká tí ó le koko níbi tí àwọn elastomers ti ń ba jẹ́. A ṣe òrùka seal líle yìí láti inú 99.8% alumina oníwà mímọ́ gíga (Al₂O₃), a ń lo òrùka seal líle yìí nínú àwọn ohun èlò seal tí kò dúró — tí a sábà máa ń so pọ̀ mọ́ gasket irin rírọ̀ tàbí graphite — láti pèsè ìdènà afẹ́fẹ́ tàbí gáàsì tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé ní àwọn iwọ̀n otútù tó dé 800°C àti ní àwọn àyíká plasma tàbí kẹ́míkà oníjàgídíjàgan. Ohun èlò náà ní agbára ìjákulẹ̀ tí kò ní ìjákulẹ̀, agbára ìfúnpọ̀ gíga (agbára flexural tí ó wà lábẹ́ 361 MPa), àti àìlera kẹ́míkà (tí ó le kojú àwọn halogens, acids, àti alkalis àyàfi HF). Àwọn ojú ìdè tí a fi ìlà ṣe (pípẹ́ ≤5 μm, àìlera ojú Ra ≤0.2 μm) ń rí i dájú pé ó ní ìfọwọ́sowọ́pọ̀ pẹ̀lú àwọn èròjà irin tàbí seramiki tí ó ní ìbáṣepọ̀.
-
Oruka Idojukọ Iyẹwu Alumina Giga-Gíga fun Awọn Eto Etch Plasma & CVD
Oruka idojukọ yàrá St.Cera jẹ́ ohun èlò ìṣiṣẹ́ pàtàkì tí a ń lò nínú ẹ̀rọ ìtẹ̀wé plasma, CVD, àti PVD semiconductor. A ṣe é láti inú 99.8% alumina gíga (Al₂O₃), òrùka náà yí etí wafer ká láti dín plasma kù kí ó sì mú kí ìpínkiri igun ion dára síi, nípa bẹ́ẹ̀ ó ń mú kí ìṣọ̀kan etch pọ̀ síi lórí ojú wafer náà. Ohun èlò náà ní agbára ìdènà plasma tí ó tayọ, agbára dielectric gíga (15×10⁶ V/m), àti ìdúróṣinṣin ooru títí dé 1600°C, èyí tí ó ń rí i dájú pé ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé fún ìgbà pípẹ́ nínú àwọn àyíká plasma tí ó ní fluorine tàbí chlorine. ID/OD ilẹ̀ tí ó péye àti fífẹ̀ (≤10 μm) ń jẹ́ kí ipò etí wafer tí ó péye, tí ó ń dín àwọn àbùkù etí àti ìṣẹ̀dá pàǹtí kù.
-
Oruka seramiki Alumina ti o ga julọ fun Awọn Iyẹwu Ilana CVD / PVD
A ṣe àgbékalẹ̀ òrùka seramiki St.Cera fún lílò nínú àwọn yàrá ìṣiṣẹ́ CVD (Kẹ́míkà Vapor Deposition) àti PVD (Physical Vapor Deposition). A ṣe é láti inú alumina gíga-gíga (Al₂O₃), òrùka yìí ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí àpò ìbòrí yàrá, òrùka ìfojúsùn, tàbí ohun èlò ìtọ́jú láti dín plasma kù àti láti dáàbò bo àwọn ògiri yàrá kúrò lọ́wọ́ ìfọ́. Ohun èlò náà ní agbára ìdènà plasma tó dára, agbára dielectric gíga (15×10⁶ V/m), àti ìdúróṣinṣin ooru títí dé 1600°C, èyí tí ó ń rí i dájú pé ó pẹ́ ní àwọn àyíká plasma tí ó ní fluorine. Ìfaradà ìwọ̀n pàtó (±0.05 mm lórí ID/OD) àti fífẹ̀ (≤10 μm) ń jẹ́ kí ipò etí wafer dúró déédéé, ó ń mú kí ìdúróṣinṣin ìpamọ́ sunwọ̀n sí i àti dín ìṣẹ̀dá pàǹtí kù.
-
Bernoulli Ceramic Effector — Ìmúlò Wafer Tí Kò Ní Kan Síra Fún Àwọn Wafer Tínrin àti Tí Ó Rọrùn
Ẹ̀rọ ìparí seramiki Bernoulli ti St.Cera lo aerodynamic lift láti gbá àwọn wafers láìsí ìfọwọ́kan ara. A ṣe é láti inú alumina gíga 99.8% (Al₂O₃) tàbí silicon carbide (SiC), ó ní àwọn nozzles tí a fi ẹ̀rọ ṣe tí ó ń yọ gaasi tí a fi agbára tẹ̀ jáde láti ṣẹ̀dá fíìmù afẹ́fẹ́ tín-ín-rín láàárín olùṣe ìparí àti wafer náà. Ìlànà tí kò ní ìfọwọ́kan yìí ń mú kí ìbàjẹ́ ẹ̀yìn, ìfọ́ etí, àti ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ kúrò, èyí tí ó mú kí ó dára fún àwọn wafer tín-ín-rín (≤100 μm), àwọn wafer tí ó jẹ́ ẹlẹ́gẹ́, tàbí tí ó yípo. Sọ́fítíkì náà ń fúnni ní agbára ìfọ́ gíga (361 MPa fún Al₂O₃; títí dé 550–600 MPa fún SiC), ìwọ̀n tí ó kéré, àti ìdúróṣinṣin oníwọ̀n tí ó tayọ, tí ó ń rí i dájú pé a ń tún un ṣe nínú àwọn roboti gbigbe wafer iyara gíga.
