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Discos cerámicos de alúmina de alta pureza
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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brazo cerámico de alúmina
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Anillos de aislamiento cerámico Anillos de enfoque cerámicos
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Protección de aislamiento para anillos de sujeción de cerámica de alúmina ST.CERA
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Brazo robótico de cerámica de alúmina de alta pureza para la manipulación de obleas.
El brazo robótico de cerámica de alúmina de St.Cera está diseñado con precisión a partir de Al₂O₃ (alúmina) de alta pureza (99,8 %). Combina una excepcional resistencia a la flexión (361 MPa), una alta dureza (16 GPa) y una baja densidad (3,93 g/cm³), lo que da como resultado un brazo ligero pero rígido para la transferencia de obleas de semiconductores. El coeficiente de expansión térmica del material (7,2 × 10⁻⁶/°C) es muy similar al del silicio, lo que minimiza la diferencia de temperatura durante el procesamiento.
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Anillo cerámico de alta precisión de alúmina
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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ST.CERA Equipos personalizados para semiconductores Platos cerámicos
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Efector final cerámico de carburo de silicio (SiC): alta rigidez para la manipulación de obleas a altas temperaturas.
El efector final de cerámica SiC de St.Cera se fabrica con carburo de silicio de alta pureza (99,72 % de SiC, 0,05 % de Si libre) utilizando el lote de material S1111. Ofrece propiedades mecánicas excepcionales: resistencia a la flexión de 449 MPa (medida), módulo elástico de 457 GPa (medido) y dureza Vickers de 25–28 GPa (típica). Su baja densidad (3,10–3,15 g/cm³, típica) proporciona una alta rigidez específica, ideal para robots de transferencia de obleas de alta velocidad. Con una conductividad térmica de 120–150 W/m·K (típica) y un coeficiente de expansión térmica de 4,0–4,5 × 10⁻⁶/℃ (típico), este efector final disipa eficazmente el calor y mantiene la estabilidad dimensional durante la manipulación a altas temperaturas (hasta 1600–1700 °C, sin carga). Su color negro/gris y su nula absorción de agua garantizan la compatibilidad con salas blancas.
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Plato de vacío a base de carburo de silicio (SiC) para entornos de alta temperatura y plasma.
El soporte cerámico de St.Cera, basado en SiC, está fabricado con carburo de silicio de alta pureza (lote S1111, 99,72 % de SiC, 0,05 % de Si libre). Ofrece una resistencia a la flexión medida de 449 MPa, una tenacidad a la fractura de 3,12 MPa·m¹/² y un módulo elástico de 457 GPa. La conductividad térmica típica del material (120–150 W/m·K) y su baja dilatación térmica (4,0–4,5 × 10⁻⁶/°C) permiten un rápido aumento de temperatura y una mínima deformación de la oblea durante el ciclo térmico. El soporte puede configurarse como un soporte de vacío poroso (flujo de gas uniforme) o como un soporte estándar ranurado. Con una temperatura máxima de uso de 1600–1700 °C (sin carga) y una excepcional resistencia a la erosión por plasma, este soporte es ideal para el procesamiento de obleas a alta temperatura (recocido, RTP) y cámaras de grabado agresivas donde los soportes de alúmina se degradan.
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Repuestos cerámicos para equipos semiconductores, soportes cerámicos
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
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Anillo de rectificado de cerámica de alúmina con respaldo metálico para aplicaciones de lapeado de alta rigidez.
El anillo de rectificado de alúmina con base metálica de St.Cera combina una capa de desgaste cerámica de alúmina de alta pureza (99,8 % Al₂O₃) con un soporte metálico mecanizado con precisión (normalmente aluminio o acero inoxidable). Este diseño híbrido proporciona la excepcional resistencia al desgaste y la inercia química de la cerámica en la superficie de rectificado, mientras que la base metálica aporta resistencia mecánica, fácil montaje y resistencia a la fractura frágil. La capa de alúmina ofrece una resistencia a la flexión de 361 MPa, una dureza Vickers de 16 GPa y una estabilidad térmica de hasta 800 °C. La base metálica se puede personalizar con orificios de montaje, pasadores de posicionamiento o propiedades magnéticas para su integración en máquinas de lapeado, rectificadoras planetarias y equipos CMP.
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Repuestos cerámicos para equipos de estaciones de prueba de semiconductores
Fabricadas mediante prensado isostático en frío y sinterizadas a alta temperatura, para luego ser mecanizadas y pulidas con precisión, las piezas de repuesto cerámicas cumplen con los requisitos más exigentes de los equipos de semiconductores gracias a su resistencia al desgaste, a la corrosión, a la baja dilatación térmica y a su capacidad aislante. La cerámica puede utilizarse durante largos periodos en diversos equipos de producción de semiconductores, incluso en condiciones de alta temperatura, vacío o gases corrosivos.
Fabricado con polvo de alúmina de alta pureza, procesado mediante prensado isostático en frío, sinterización a alta temperatura y acabado de precisión, puede alcanzar una tolerancia dimensional de ±0,001 mm, un acabado superficial Ra 0,1 y una resistencia a la temperatura de 1600 ℃.
