-
Discos de cerâmica de alumina de alta pureza
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
-
braço de cerâmica de alumina
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
-
Anéis de isolamento de cerâmica Anéis de focalização de cerâmica
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
-
Proteção de isolamento do anel de fixação de cerâmica de alumina ST.CERA
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
-
Braço robótico de cerâmica de alumina de alta pureza para manuseio de wafers
O braço robótico de cerâmica de alumina da St.Cera é projetado com precisão a partir de Al₂O₃ (alumina) de alta pureza (99,8%). Ele combina excepcional resistência à flexão (361 MPa), alta dureza (16 GPa) e baixa densidade (3,93 g/cm³), resultando em um braço leve e rígido para a transferência de wafers semicondutores. O coeficiente de expansão térmica do material (7,2×10⁻⁶/°C) é bastante semelhante ao do silício, minimizando a incompatibilidade térmica durante o processamento.
-
Anel de cerâmica de alta precisão em alumina, peças cerâmicas
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
-
Placas de cerâmica personalizadas para equipamentos semicondutores ST.CERA
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
-
Efetor final de cerâmica de carboneto de silício (SiC) – Alta rigidez para manuseio de wafers em altas temperaturas
O atuador final de cerâmica SiC da St.Cera é fabricado com carbeto de silício de alta pureza (teor de SiC de 99,72%, Si livre de 0,05%) utilizando o lote de material S1111. Oferece propriedades mecânicas excepcionais: resistência à flexão de 449 MPa (medida), módulo de elasticidade de 457 GPa (medido) e dureza Vickers de 25–28 GPa (típica). A baixa densidade (3,10–3,15 g/cm³, típica) proporciona alta rigidez específica, ideal para robôs de transferência de wafers de alta velocidade. Com condutividade térmica de 120–150 W/m·K (típica) e coeficiente de expansão térmica de 4,0–4,5×10⁻⁶/℃ (típico), este atuador final dissipa o calor de forma eficaz e mantém a estabilidade dimensional durante o manuseio em altas temperaturas (até 1600–1700 °C, sem carga). A cor preta/cinza e a absorção zero de água garantem a compatibilidade com salas limpas.
-
Placa de fixação a vácuo à base de carboneto de silício (SiC) para ambientes de alta temperatura e plasma.
O suporte cerâmico de SiC da St.Cera é fabricado com carbeto de silício de alta pureza (lote S1111, SiC 99,72%, Si livre 0,05%). Ele apresenta resistência à flexão de 449 MPa, tenacidade à fratura de 3,12 MPa·m¹/² e módulo de elasticidade de 457 GPa. A condutividade térmica típica do material (120–150 W/m·K) e a baixa expansão térmica (4,0–4,5×10⁻⁶/℃) permitem um rápido aquecimento e mínima deformação do wafer durante os ciclos térmicos. O suporte pode ser configurado como um suporte a vácuo poroso (fluxo de gás uniforme) ou um suporte padrão ranhurado. Com uma temperatura máxima de utilização de 1600–1700 °C (sem carga) e uma resistência excepcional à erosão por plasma, este suporte é ideal para o processamento de wafers a altas temperaturas (recozimento, RTP) e câmaras de gravação agressivas onde os suportes de alumina se degradam.
-
Peças de reposição de cerâmica para equipamentos semicondutores, suportes de cerâmica
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
-
Anel de retificação de cerâmica de alumina com suporte metálico para aplicações de lapidação de alta rigidez.
O anel de retificação de alumina com base metálica da St.Cera combina uma camada de desgaste cerâmica de alumina de alta pureza (99,8% Al₂O₃) com um suporte metálico usinado com precisão (normalmente alumínio ou aço inoxidável). Este design híbrido proporciona a excepcional resistência ao desgaste e a inércia química da cerâmica na superfície de retificação, enquanto a base metálica adiciona resistência mecânica, facilidade de montagem e resistência à fratura frágil. A camada de alumina oferece resistência à flexão de 361 MPa, dureza Vickers de 16 GPa e estabilidade térmica de até 800 °C. A base metálica é personalizada com furos de montagem, pinos de localização ou propriedades magnéticas para integração em máquinas de lapidação, retificadoras planetárias e equipamentos CMP.
-
Peças de reposição de cerâmica para equipamentos de estação de teste de semicondutores
Formadas por prensagem isostática a frio e sinterizadas em alta temperatura, e posteriormente usinadas e polidas com precisão, as peças de reposição cerâmicas atendem a quaisquer requisitos rigorosos de equipamentos semicondutores, graças às suas características de resistência ao desgaste, resistência à corrosão, baixa expansão térmica e isolamento. A cerâmica pode operar em diversos tipos de equipamentos de produção de semicondutores, mesmo em condições de alta temperatura, vácuo ou gases corrosivos, por longos períodos.
Fabricado a partir de pó de alumina de alta pureza, processado por prensagem isostática a frio, sinterização a alta temperatura e acabamento de precisão, pode atingir uma tolerância dimensional de ±0,001 mm, acabamento superficial Ra 0,1 e resistência à temperatura de 1600℃.
