-
Mga Alumina Ceramic Disc nga adunay Taas nga Kaputli
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
alumina nga seramik nga bukton
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Mga Singsing nga Seramik nga Insulasyon Mga Singsing nga Seramik nga Nagpokus
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
ST.CERA Alumina Ceramic Clamp Ring Insulation Protection
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Taas-Kaputli nga Alumina Ceramic Robot Arm para sa Pagdumala sa Wafer
Ang alumina ceramic robot arm sa St.Cera gihimo gamit ang 99.8% nga high-purity Al₂O₃ (alumina) nga adunay tukmang pagkagama. Kini naghiusa sa talagsaong flexural strength (361 MPa), taas nga katig-a (16 GPa), ug ubos nga densidad (3.93 g/cm³), nga miresulta sa usa ka gaan apan gahi nga bukton para sa semiconductor wafer transfer. Ang thermal expansion coefficient sa materyal (7.2×10⁻⁶/°C) hugot nga mohaom sa silicon, nga nagpamenos sa thermal mismatch atol sa pagproseso.
-
Mga Bahagi sa Seramik nga Singsing nga Seramik nga Alumina nga Taas ang Precision
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Mga Ceramic Chuck nga Gipahiangay sa ST.CERA nga Kagamitan sa Semiconductor
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Silicon Carbide (SiC) Ceramic End Effector – Taas nga Katig-a para sa Pagdumala sa Taas nga Temperatura nga Wafer
Ang SiC ceramic end effector sa St.Cera gihimo gikan sa high-purity silicon carbide (SiC content 99.72%, free Si 0.05%) gamit ang S1111 batch material. Nagtanyag kini og talagsaong mekanikal nga mga kabtangan: flexural strength 449 MPa (gisukod), elastic modulus 457 GPa (gisukod), ug Vickers hardness 25–28 GPa (tipikal). Ang ubos nga density (3.10–3.15 g/cm³, tipikal) naghatag og taas nga specific stiffness, sulundon alang sa mga high-speed wafer transfer robot. Uban sa thermal conductivity nga 120–150 W/m·K (tipikal) ug thermal expansion coefficient nga 4.0–4.5×10⁻⁶/℃ (tipikal), kini nga end effector epektibong nagpalapad sa kainit ug nagmintinar sa dimensional stability atol sa high-temperature handling (hangtod sa 1600–1700°C, walay load). Ang itom/abohon nga kolor ug zero water absorption nagsiguro sa cleanroom compatibility.
-
Silicon Carbide (SiC) Based Vacuum Chuck para sa Taas nga Temperatura ug Plasma nga mga Palibot
Ang SiC-based ceramic chuck sa St.Cera gihimo gikan sa high-purity silicon carbide (batch S1111, SiC 99.72%, free Si 0.05%). Kini naghatag og nasukod nga flexural strength nga 449 MPa, fracture toughness nga 3.12 MPa·m¹/², ug elastic modulus nga 457 GPa. Ang tipikal nga thermal conductivity sa materyal (120–150 W/m·K) ug ubos nga thermal expansion (4.0–4.5×10⁻⁶/℃) nagtugot sa paspas nga pagsaka sa temperatura ug gamay nga wafer warpage atol sa thermal cycling. Ang chuck mahimong i-configure isip porous vacuum chuck (uniform gas flow) o grooved standard chuck. Nga adunay maximum use temperature nga 1600–1700°C (walay load) ug talagsaong plasma erosion resistance, kini nga chuck sulundon alang sa high-temperature wafer processing (annealing, RTP) ug agresibo nga etch chambers diin ang alumina chucks madaot.
-
Kagamitan sa Semiconductor Mga Piyesa nga Seramik Mga Tigdala nga Seramik
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
-
Singsing nga Panggiling nga Alumina nga Gipaluyohan sa Metal para sa mga Aplikasyon sa Pag-lapping nga Taas ang Rigidity
Ang metal-based alumina grinding ring sa St.Cera naghiusa sa usa ka high-purity alumina (99.8% Al₂O₃) ceramic wear layer nga adunay precision-machined metal backing (kasagaran aluminum o stainless steel). Kini nga hybrid nga disenyo naghatag sa talagsaong wear resistance ug chemical inertness sa ceramic sa grinding surface, samtang ang metal base nagdugang og mechanical strength, sayon nga pag-mount, ug resistensya sa brittle fracture. Ang alumina layer nagtanyag og flexural strength nga 361 MPa, Vickers hardness nga 16 GPa, ug thermal stability hangtod sa 800°C. Ang metal base gipahaom nga adunay mga mounting hole, locating pin, o magnetic properties para sa integration sa lapping machines, planetary grinders, ug CMP equipment.
-
Mga Piyesa nga Seramik para sa Kagamitan sa Semiconductor Probe Station
Giporma pinaagi sa bugnaw nga isostatic pressing ug gi-sinter ubos sa taas nga temperatura, dayon gi-machine ug gipasinaw sa tukma nga paagi, ang mga piyesa sa seramiko makatuman sa bisan unsang estrikto nga mga kinahanglanon sa kagamitan sa semiconductor uban ang mga bahin niini nga resistensya sa pagkaguba, resistensya sa kaagnasan, ubos nga thermal expansion, ug insulasyon. Ang mga seramiko mahimong magamit sa daghang klase sa kagamitan sa produksiyon sa semiconductor nga adunay kondisyon sa taas nga temperatura, vacuum o corrosive gas sa dugay nga panahon.
Gihimo gikan sa high-purity alumina powder, giproseso pinaagi sa cold isostatic pressing, high temperature sintering ug precision finishing, kini makaabot sa dimension tolerance nga ±0.001 mm, surface finish Ra 0.1, temperature resistance 1600℃.
