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고순도 알루미나 세라믹 디스크
냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.
고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.
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알루미나 세라믹 암
냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.
고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.
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세라믹 절연 링 세라믹 초점 링
냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.
고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.
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ST.CERA 알루미나 세라믹 클램프 링 절연 보호
냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.
고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.
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웨이퍼 핸들링용 고순도 알루미나 세라믹 로봇 팔
세인트세라의 알루미나 세라믹 로봇 팔은 99.8% 고순도 Al₂O₃(알루미나)로 정밀하게 설계되었습니다. 이 소재는 탁월한 굽힘 강도(361 MPa), 높은 경도(16 GPa), 그리고 낮은 밀도(3.93 g/cm³)를 결합하여 반도체 웨이퍼 이송에 필요한 가볍지만 견고한 로봇 팔을 구현합니다. 또한, 알루미나의 열팽창 계수(7.2×10⁻⁶/°C)는 실리콘과 매우 유사하여 공정 중 열팽창 차이를 최소화합니다.
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알루미나 고정밀 세라믹 링 세라믹 부품
냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.
고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.
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ST.CERA 맞춤형 반도체 장비 세라믹 척
냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.
고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.
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탄화규소(SiC) 세라믹 엔드 이펙터 - 고온 웨이퍼 핸들링을 위한 높은 강성
세인트세라(St.Cera)의 SiC 세라믹 엔드 이펙터는 S1111 배치 소재를 사용하여 고순도 탄화규소(SiC 함량 99.72%, 유리 Si 0.05%)로 제조됩니다. 이 제품은 탁월한 기계적 특성을 제공합니다. 굽힘 강도는 449 MPa(측정값), 탄성 계수는 457 GPa(측정값), 비커스 경도는 25~28 GPa(일반값)입니다. 낮은 밀도(3.10~3.15 g/cm³, 일반값)는 높은 비강성을 제공하여 고속 웨이퍼 이송 로봇에 이상적입니다. 열전도율은 120~150 W/m·K(일반값)이고 열팽창 계수는 4.0~4.5×10⁻⁶/℃(일반값)로, 이 엔드 이펙터는 고온(무부하 시 최대 1600~1700°C)에서도 효과적으로 열을 발산하고 치수 안정성을 유지합니다. 검정/회색 색상과 제로 흡수율 덕분에 클린룸 환경에 적합합니다.
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고온 및 플라즈마 환경용 탄화규소(SiC) 기반 진공척
세인트세라(St.Cera)의 SiC 기반 세라믹 척은 고순도 탄화규소(SiC 99.72%, 유리규소 0.05%)로 제조됩니다. 이 척은 449 MPa의 굽힘 강도, 3.12 MPa·m¹/²의 파괴 인성, 그리고 457 GPa의 탄성 계수를 나타냅니다. 또한, 이 소재의 일반적인 열전도율(120–150 W/m·K)과 낮은 열팽창률(4.0–4.5×10⁻⁶/℃) 덕분에 빠른 온도 상승이 가능하며 열 사이클링 중 웨이퍼 변형을 최소화할 수 있습니다. 이 척은 다공성 진공 척(균일 가스 흐름) 또는 홈이 있는 표준 척으로 구성할 수 있습니다. 최대 사용 온도 1600~1700°C(무부하)와 탁월한 플라즈마 침식 저항성을 갖춘 이 척은 고온 웨이퍼 공정(어닐링, RTP) 및 알루미나 척이 열화되는 공격적인 에칭 챔버에 이상적입니다.
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반도체 장비 세라믹 예비 부품 세라믹 캐리어
냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.
고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.
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고강성 연마 작업에 적합한 금속 지지 알루미나 세라믹 연삭 링
세인트세라(St.Cera)의 금속 기반 알루미나 연삭 링은 고순도 알루미나(99.8% Al₂O₃) 세라믹 마모층과 정밀 가공된 금속 지지대(일반적으로 알루미늄 또는 스테인리스강)를 결합한 제품입니다. 이 하이브리드 설계는 연삭 표면에 세라믹의 탁월한 내마모성과 화학적 불활성을 제공하는 동시에 금속 지지대는 기계적 강도, 손쉬운 장착 및 취성 파괴 저항성을 향상시킵니다. 알루미나 층은 361MPa의 굽힘 강도, 16GPa의 비커스 경도, 그리고 최대 800°C의 열 안정성을 제공합니다. 금속 지지대는 래핑 머신, 유성 연삭기 및 CMP 장비에 통합할 수 있도록 장착 구멍, 위치 고정 핀 또는 자성 특성 등으로 맞춤 제작이 가능합니다.
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반도체 프로브 스테이션 장비용 세라믹 예비 부품
냉간 등방압 성형 후 고온 소결하고 정밀 가공 및 연마하여 제작되는 세라믹 부품은 내마모성, 내식성, 낮은 열팽창률 및 절연성 등의 특징으로 반도체 장비의 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 세라믹은 고온, 진공 또는 부식성 가스 환경 등 다양한 조건에서 장시간 사용 가능한 반도체 생산 장비에 적합합니다.
고순도 알루미나 분말을 냉간 등방압 성형, 고온 소결 및 정밀 가공하여 제조되었으며, 치수 공차 ±0.001mm, 표면 조도 Ra 0.1, 내열 온도 1600℃를 달성할 수 있습니다.
