-
Discuri ceramice din alumină de înaltă puritate
Formate prin presare izostatică la rece și sinterizate la temperatură înaltă, apoi prelucrate cu precizie și lustruite, piesele de schimb ceramice pot îndeplini orice cerințe stricte ale echipamentelor semiconductoare datorită caracteristicilor lor de rezistență la uzură, rezistență la coroziune, dilatare termică redusă și izolație. Ceramica poate funcționa în multe tipuri de echipamente de producție a semiconductorilor în condiții de temperatură înaltă, vid sau gaze corozive pentru o perioadă lungă de timp.
Fabricat din pulbere de alumină de înaltă puritate, prelucrat prin presare izostatică la rece, sinterizare la temperatură înaltă și finisare de precizie, poate atinge o toleranță dimensională de ±0,001 mm, finisaj suprafață Ra 0,1, rezistență la temperatură 1600 ℃.
-
braț ceramic din alumină
Formate prin presare izostatică la rece și sinterizate la temperatură înaltă, apoi prelucrate cu precizie și lustruite, piesele de schimb ceramice pot îndeplini orice cerințe stricte ale echipamentelor semiconductoare datorită caracteristicilor lor de rezistență la uzură, rezistență la coroziune, dilatare termică redusă și izolație. Ceramica poate funcționa în multe tipuri de echipamente de producție a semiconductorilor în condiții de temperatură înaltă, vid sau gaze corozive pentru o perioadă lungă de timp.
Fabricat din pulbere de alumină de înaltă puritate, prelucrat prin presare izostatică la rece, sinterizare la temperatură înaltă și finisare de precizie, poate atinge o toleranță dimensională de ±0,001 mm, finisaj suprafață Ra 0,1, rezistență la temperatură 1600 ℃.
-
Inele de izolație ceramice Inele de focalizare ceramice
Formate prin presare izostatică la rece și sinterizate la temperatură înaltă, apoi prelucrate cu precizie și lustruite, piesele de schimb ceramice pot îndeplini orice cerințe stricte ale echipamentelor semiconductoare datorită caracteristicilor lor de rezistență la uzură, rezistență la coroziune, dilatare termică redusă și izolație. Ceramica poate funcționa în multe tipuri de echipamente de producție a semiconductorilor în condiții de temperatură înaltă, vid sau gaze corozive pentru o perioadă lungă de timp.
Fabricat din pulbere de alumină de înaltă puritate, prelucrat prin presare izostatică la rece, sinterizare la temperatură înaltă și finisare de precizie, poate atinge o toleranță dimensională de ±0,001 mm, finisaj suprafață Ra 0,1, rezistență la temperatură 1600 ℃.
-
Inel de clemă ceramică din alumină ST.CERA, protecție izolatoare
Formate prin presare izostatică la rece și sinterizate la temperatură înaltă, apoi prelucrate cu precizie și lustruite, piesele de schimb ceramice pot îndeplini orice cerințe stricte ale echipamentelor semiconductoare datorită caracteristicilor lor de rezistență la uzură, rezistență la coroziune, dilatare termică redusă și izolație. Ceramica poate funcționa în multe tipuri de echipamente de producție a semiconductorilor în condiții de temperatură înaltă, vid sau gaze corozive pentru o perioadă lungă de timp.
Fabricat din pulbere de alumină de înaltă puritate, prelucrat prin presare izostatică la rece, sinterizare la temperatură înaltă și finisare de precizie, poate atinge o toleranță dimensională de ±0,001 mm, finisaj suprafață Ra 0,1, rezistență la temperatură 1600 ℃.
-
Braț robotic din ceramică de alumină de înaltă puritate pentru manipularea napolitanelor
Brațul robotic din ceramică de alumină de la St.Cera este fabricat cu precizie din Al₂O₃ (alumină) de înaltă puritate, în proporție de 99,8%. Acesta combină o rezistență excepțională la încovoiere (361 MPa), o duritate ridicată (16 GPa) și o densitate redusă (3,93 g/cm³), rezultând un braț ușor, dar rigid, pentru transferul de napolitane semiconductoare. Coeficientul de dilatare termică al materialului (7,2×10⁻⁶/°C) se potrivește îndeaproape cu siliciul, reducând la minimum nepotrivirea termică în timpul procesării.
-
Piese ceramice cu inele ceramice de înaltă precizie din alumină
Formate prin presare izostatică la rece și sinterizate la temperatură înaltă, apoi prelucrate cu precizie și lustruite, piesele de schimb ceramice pot îndeplini orice cerințe stricte ale echipamentelor semiconductoare datorită caracteristicilor lor de rezistență la uzură, rezistență la coroziune, dilatare termică redusă și izolație. Ceramica poate funcționa în multe tipuri de echipamente de producție a semiconductorilor în condiții de temperatură înaltă, vid sau gaze corozive pentru o perioadă lungă de timp.
Fabricat din pulbere de alumină de înaltă puritate, prelucrat prin presare izostatică la rece, sinterizare la temperatură înaltă și finisare de precizie, poate atinge o toleranță dimensională de ±0,001 mm, finisaj suprafață Ra 0,1, rezistență la temperatură 1600 ℃.
-
Mandrine ceramice pentru echipamente semiconductoare personalizate ST.CERA
Formate prin presare izostatică la rece și sinterizate la temperatură înaltă, apoi prelucrate cu precizie și lustruite, piesele de schimb ceramice pot îndeplini orice cerințe stricte ale echipamentelor semiconductoare datorită caracteristicilor lor de rezistență la uzură, rezistență la coroziune, dilatare termică redusă și izolație. Ceramica poate funcționa în multe tipuri de echipamente de producție a semiconductorilor în condiții de temperatură înaltă, vid sau gaze corozive pentru o perioadă lungă de timp.
Fabricat din pulbere de alumină de înaltă puritate, prelucrat prin presare izostatică la rece, sinterizare la temperatură înaltă și finisare de precizie, poate atinge o toleranță dimensională de ±0,001 mm, finisaj suprafață Ra 0,1, rezistență la temperatură 1600 ℃.
-
Efector final ceramic din carbură de siliciu (SiC) – rigiditate ridicată pentru manipularea napolitanelor la temperaturi ridicate
Efectorul final ceramic SiC de la St.Cera este fabricat din carbură de siliciu de înaltă puritate (conținut de SiC 99,72%, Si liber 0,05%) folosind materialul de amestec S1111. Acesta oferă proprietăți mecanice excepționale: rezistență la încovoiere 449 MPa (măsurată), modul de elasticitate 457 GPa (măsurat) și duritate Vickers 25–28 GPa (tipic). Densitatea redusă (3,10–3,15 g/cm³, tipică) oferă o rigiditate specifică ridicată, ideală pentru roboții de transfer de napolitane de mare viteză. Cu o conductivitate termică de 120–150 W/m·K (tipic) și un coeficient de dilatare termică de 4,0–4,5×10⁻⁶/℃ (tipic), acest efector final disipă eficient căldura și menține stabilitatea dimensională în timpul manipulării la temperaturi ridicate (până la 1600–1700°C, fără sarcină). Culoarea negru/gri și absorbția zero de apă asigură compatibilitatea cu camera curată.
-
Mandrină cu vid pe bază de carbură de siliciu (SiC) pentru medii cu temperaturi ridicate și plasmă
Mandrina ceramică pe bază de SiC de la St.Cera este fabricată din carbură de siliciu de înaltă puritate (lotul S1111, SiC 99,72%, Si liber 0,05%). Aceasta oferă o rezistență la încovoiere măsurată de 449 MPa, o tenacitate la fractură de 3,12 MPa·m¹/² și un modul de elasticitate de 457 GPa. Conductivitatea termică tipică a materialului (120–150 W/m·K) și expansiunea termică redusă (4,0–4,5×10⁻⁶/℃) permit o creștere rapidă a temperaturii și o deformare minimă a plachetelor în timpul ciclului termic. Mandrina poate fi configurată ca mandrină poroasă cu vid (flux uniform de gaz) sau mandrină standard cu caneluri. Cu o temperatură maximă de utilizare de 1600–1700°C (fără sarcină) și o rezistență excepțională la eroziunea plasmei, această mandrină este ideală pentru procesarea plachetelor la temperatură înaltă (recoacere, RTP) și pentru camerele de gravare agresive unde mandrinele de alumină se degradează.
-
Piese de schimb ceramice pentru echipamente semiconductoare Suporturi ceramice
Formate prin presare izostatică la rece și sinterizate la temperatură înaltă, apoi prelucrate cu precizie și lustruite, piesele de schimb ceramice pot îndeplini orice cerințe stricte ale echipamentelor semiconductoare datorită caracteristicilor lor de rezistență la uzură, rezistență la coroziune, dilatare termică redusă și izolație. Ceramica poate funcționa în multe tipuri de echipamente de producție a semiconductorilor în condiții de temperatură înaltă, vid sau gaze corozive pentru o perioadă lungă de timp.
Fabricat din pulbere de alumină de înaltă puritate, prelucrat prin presare izostatică la rece, sinterizare la temperatură înaltă și finisare de precizie, poate atinge o toleranță dimensională de ±0,001 mm, finisaj suprafață Ra 0,1, rezistență la temperatură 1600 ℃.
-
Inel de șlefuire din ceramică de alumină cu suport metalic pentru aplicații de lepuire cu rigiditate ridicată
Inelul de șlefuire pe bază de metal din alumină de la St.Cera combină un strat ceramic de uzură din alumină de înaltă puritate (99,8% Al₂O₃) cu un suport metalic prelucrat cu precizie (de obicei aluminiu sau oțel inoxidabil). Acest design hibrid oferă rezistența excepțională la uzură și inerția chimică a ceramicii pe suprafața de șlefuire, în timp ce baza metalică adaugă rezistență mecanică, montare ușoară și rezistență la fracturare fragilă. Stratul de alumină oferă o rezistență la încovoiere de 361 MPa, o duritate Vickers de 16 GPa și o stabilitate termică de până la 800°C. Baza metalică este personalizată cu găuri de montare, știfturi de fixare sau proprietăți magnetice pentru integrarea în mașini de lepuit, mașini de rectificat planetare și echipamente CMP.
-
Piese de schimb ceramice pentru echipamente de stație de sondă semiconductoare
Formate prin presare izostatică la rece și sinterizate la temperatură înaltă, apoi prelucrate cu precizie și lustruite, piesele de schimb ceramice pot îndeplini orice cerințe stricte ale echipamentelor semiconductoare datorită caracteristicilor lor de rezistență la uzură, rezistență la coroziune, dilatare termică redusă și izolație. Ceramica poate funcționa în multe tipuri de echipamente de producție a semiconductorilor în condiții de temperatură înaltă, vid sau gaze corozive pentru o perioadă lungă de timp.
Fabricat din pulbere de alumină de înaltă puritate, prelucrat prin presare izostatică la rece, sinterizare la temperatură înaltă și finisare de precizie, poate atinge o toleranță dimensională de ±0,001 mm, finisaj suprafață Ra 0,1, rezistență la temperatură 1600 ℃.
