-
Discs de ceràmica d'alúmina d'alta puresa
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
braç de ceràmica d'alúmina
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Anells d'aïllament ceràmic Anells d'enfocament ceràmics
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Protecció d'aïllament de l'anell de subjecció de ceràmica d'alúmina ST.CERA
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Braç robòtic de ceràmica d'alúmina d'alta puresa per a la manipulació de galetes
El braç robòtic de ceràmica d'alúmina de St.Cera està fabricat amb precisió a partir d'Al₂O₃ (alúmina) d'alta puresa al 99,8%. Combina una resistència a la flexió excepcional (361 MPa), una duresa elevada (16 GPa) i una baixa densitat (3,93 g/cm³), donant com a resultat un braç lleuger però rígid per a la transferència de làmines de semiconductors. El coeficient d'expansió tèrmica del material (7,2×10⁻⁶/°C) s'assembla molt al del silici, cosa que minimitza la discrepància tèrmica durant el processament.
-
Peces ceràmiques d'anell de ceràmica d'alta precisió d'alúmina
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Mandrils ceràmics per a equips semiconductors personalitzats de ST.CERA
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Efector final ceràmic de carbur de silici (SiC): alta rigidesa per a la manipulació de oblies a alta temperatura
L'efector final ceràmic SiC de St.Cera està fabricat amb carbur de silici d'alta puresa (contingut de SiC 99,72%, Si lliure 0,05%) utilitzant el material de lot S1111. Ofereix propietats mecàniques excepcionals: resistència a la flexió 449 MPa (mesurada), mòdul elàstic 457 GPa (mesurat) i duresa Vickers 25–28 GPa (típica). La baixa densitat (3,10–3,15 g/cm³, típica) proporciona una alta rigidesa específica, ideal per a robots de transferència d'oblees d'alta velocitat. Amb una conductivitat tèrmica de 120–150 W/m·K (típica) i un coeficient d'expansió tèrmica de 4,0–4,5×10⁻⁶/℃ (típic), aquest efector final dissipa eficaçment la calor i manté l'estabilitat dimensional durant la manipulació a altes temperatures (fins a 1600–1700°C, sense càrrega). El color negre/gris i la zero absorció d'aigua garanteixen la compatibilitat amb la sala blanca.
-
Mandril de buit basat en carbur de silici (SiC) per a entorns d'alta temperatura i plasma
El mandril ceràmic basat en SiC de St.Cera està fabricat amb carbur de silici d'alta puresa (lot S1111, SiC 99,72%, Si lliure 0,05%). Ofereix una resistència a la flexió mesurada de 449 MPa, una tenacitat a la fractura de 3,12 MPa·m¹/² i un mòdul elàstic de 457 GPa. La conductivitat tèrmica típica del material (120–150 W/m·K) i la baixa expansió tèrmica (4,0–4,5×10⁻⁶/℃) permeten un augment ràpid de la temperatura i una deformació mínima de la làmina durant el cicle tèrmic. El mandril es pot configurar com un mandril de buit porós (flux uniforme de gas) o un mandril estàndard ranurat. Amb una temperatura màxima d'ús de 1600–1700 °C (sense càrrega) i una resistència excepcional a l'erosió per plasma, aquest mandril és ideal per al processament de làmines a alta temperatura (recuit, RTP) i cambres de gravat agressives on els mandrils d'alúmina es degraden.
-
Equips semiconductors Recanvis ceràmics Portadors ceràmics
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
-
Anell de mòlta ceràmica d'alúmina amb suport metàl·lic per a aplicacions de solapat d'alta rigidesa
L'anell de mòlta d'alúmina a base de metall de St.Cera combina una capa de desgast ceràmica d'alúmina d'alta puresa (99,8% Al₂O₃) amb un suport metàl·lic mecanitzat amb precisió (normalment alumini o acer inoxidable). Aquest disseny híbrid proporciona la resistència al desgast excepcional i la inertícia química de la ceràmica a la superfície de mòlta, mentre que la base metàl·lica afegeix resistència mecànica, muntatge fàcil i resistència a la fractura fràgil. La capa d'alúmina ofereix una resistència a la flexió de 361 MPa, una duresa Vickers de 16 GPa i una estabilitat tèrmica de fins a 800 °C. La base metàl·lica està personalitzada amb forats de muntatge, passadors de localització o propietats magnètiques per a la integració en màquines de lapar, rectificadores planetàries i equips CMP.
-
Recanvis de ceràmica per a equips d'estació de sonda de semiconductors
Formates per premsat isostàtic en fred i sinteritzades a alta temperatura, després mecanitzades i polides amb precisió, les peces de recanvi ceràmiques poden complir qualsevol requisit estricte dels equips semiconductors amb les seves característiques de resistència al desgast, resistència a la corrosió, baixa expansió tèrmica i aïllament. La ceràmica pot funcionar en molts tipus d'equips de producció de semiconductors amb condicions d'alta temperatura, buit o gas corrosiu durant molt de temps.
Fet de pols d'alúmina d'alta puresa, processat per premsat isostàtic en fred, sinterització a alta temperatura i acabat de precisió, pot assolir una tolerància de dimensió de ±0,001 mm, un acabat superficial Ra 0,1 i una resistència a la temperatura de 1600 ℃.
