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Dischi ceramici d'alumina cù alta purezza
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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bracciu di ceramica d'alumina
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Anelli d'isolamentu ceramicu Anelli di focalizazione ceramica
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Prutezzione di l'isolamentu di l'anellu di morsetto in ceramica d'alumina ST.CERA
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Bracciu roboticu in ceramica d'alumina d'alta purezza per a manipolazione di wafer
U bracciu roboticu in ceramica d'alumina di St.Cera hè custruitu cù precisione da 99,8% di Al₂O₃ (alumina) d'alta purezza. Combina una resistenza à a flessione eccezziunale (361 MPa), una durezza elevata (16 GPa) è una bassa densità (3,93 g/cm³), risultendu in un bracciu ligeru ma rigidu per u trasferimentu di wafer di semiconduttori. U coefficientu di dilatazione termica di u materiale (7,2×10⁻⁶/°C) currisponde strettamente à u siliciu, minimizendu a discrepanza termica durante a trasfurmazione.
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Parti in ceramica di l'anellu ceramicu d'alta precisione in allumina
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Mandrini ceramici per apparecchiature a semiconduttore personalizzate ST.CERA
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Effettore finale in ceramica di carburo di siliciu (SiC) - Alta rigidità per a manipolazione di wafer ad alta temperatura
L'effettore finale in ceramica SiC di St.Cera hè fabbricatu da carburo di siliciu di alta purezza (cuntenutu di SiC 99,72%, Si liberu 0,05%) utilizendu u materiale batch S1111. Offre proprietà meccaniche eccezziunali: resistenza à a flessione 449 MPa (misurata), modulu elasticu 457 GPa (misuratu) è durezza Vickers 25-28 GPa (tipicu). A bassa densità (3,10-3,15 g/cm³, tipica) furnisce una alta rigidità specifica, ideale per i robot di trasferimentu di wafer à alta velocità. Cù una conducibilità termica di 120-150 W/m·K (tipica) è un coefficiente di dilatazione termica di 4,0-4,5×10⁻⁶/℃ (tipicu), questu effettore finale dissipa efficacemente u calore è mantene a stabilità dimensionale durante a manipolazione à alta temperatura (finu à 1600-1700°C, senza carica). U culore neru/grisgiu è l'assorbimentu zero d'acqua garantiscenu a compatibilità in camera bianca.
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Mandrinu à vuoto à basa di carburo di siliciu (SiC) per ambienti à alta temperatura è plasma
U mandrinu ceramicu à basa di SiC di St.Cera hè fabbricatu da carburo di siliciu di alta purezza (lottu S1111, SiC 99,72%, Si liberu 0,05%). Offre una resistenza à a flessione misurata di 449 MPa, una tenacità à a frattura di 3,12 MPa·m¹/² è un modulu elasticu di 457 GPa. A tipica conducibilità termica di u materiale (120-150 W/m·K) è a bassa espansione termica (4,0-4,5×10⁻⁶/℃) permettenu una rapida crescita di a temperatura è una deformazione minima di u wafer durante u ciclu termicu. U mandrinu pò esse cunfiguratu cum'è un mandrinu à vuoto porosu (flussu di gas uniforme) o un mandrinu standard scanalatu. Cù una temperatura massima d'usu di 1600-1700°C (senza carica) è una resistenza eccezziunale à l'erosione di u plasma, questu mandrinu hè ideale per a trasfurmazione di wafer à alta temperatura (ricottura, RTP) è camere di incisione aggressive induve i mandrini d'allumina si degradanu.
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Pezzi di ricambio ceramici per apparecchiature a semiconduttore Portatori ceramici
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Anellu di macinazione in ceramica d'alumina cù supportu metallicu per applicazioni di lappatura ad alta rigidità
L'anellu di macinazione in allumina à basa di metallu di St.Cera combina un stratu di usura ceramica d'alumina di alta purezza (99,8% Al₂O₃) cù un supportu metallicu lavorato di precisione (tipicamente aluminiu o acciaio inox). Stu disignu ibridu furnisce l'eccezziunale resistenza à l'usura è l'inerzia chimica di a ceramica nantu à a superficia di macinazione, mentre chì a basa metallica aghjusta resistenza meccanica, montaggio faciule è resistenza à a frattura fragile. U stratu d'alumina offre una resistenza à a flessione di 361 MPa, una durezza Vickers di 16 GPa è una stabilità termica finu à 800 °C. A basa metallica hè persunalizata cù fori di montaggio, perni di posizionamentu o proprietà magnetiche per l'integrazione in macchine di lappatura, rettificatrici planetarie è apparecchiature CMP.
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Pezzi di ricambio in ceramica per apparecchiature di stazione di sonda a semiconduttore
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
