-
သန့်စင်မှုမြင့်မားသော အလူမီနာ ကြွေပြားများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
အလူမီနာကြွေလက်မောင်း
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ကြွေထည်လျှပ်ကာလက်စွပ်များ ကြွေထည်အာရုံစူးစိုက်လက်စွပ်များ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ST.CERA အလူမီနာ ကြွေထည် ကလစ်ကွင်း အပူလျှပ်ကာ အကာအကွယ်
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ဝေဖာကိုင်တွယ်ရန်အတွက် သန့်စင်မှုမြင့် အလူမီနာ ကြွေထည် ရိုဘော့လက်
St.Cera ရဲ့ အလူမီနာကြွေထည်စက်ရုပ်လက်မောင်းကို ၉၉.၈% မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှု Al₂O₃ (အလူမီနာ) မှ တိကျစွာတည်ဆောက်ထားပါတယ်။ ၎င်းမှာ ထူးခြားတဲ့ကွေးညွှတ်အား (361 MPa)၊ မြင့်မားတဲ့မာကျောမှု (16 GPa) နဲ့ သိပ်သည်းဆနည်းမှု (3.93 g/cm³) တို့ကို ပေါင်းစပ်ထားတာကြောင့် semiconductor wafer လွှဲပြောင်းမှုအတွက် ပေါ့ပါးပေမယ့် မာကျောတဲ့လက်မောင်းကို ရရှိစေပါတယ်။ ပစ္စည်းရဲ့ အပူချိန်ချဲ့ထွင်မှုကိန်း (7.2×10⁻⁶/°C) ဟာ ဆီလီကွန်နဲ့ အနီးကပ်ကိုက်ညီပြီး လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း အပူမကိုက်ညီမှုကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးပါတယ်။
-
အလူမီနာ မြင့်မားသော တိကျမှုရှိသော ကြွေထည်လက်စွပ် ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ST.CERA စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေချပ်များ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ကြွေထည်အဆုံးအကျိုးသက်ရောက်မှု – အပူချိန်မြင့်ဝေဖာကိုင်တွယ်မှုအတွက် မြင့်မားသောမာကျောမှု
St.Cera ရဲ့ SiC ကြွေထည် end effector ကို S1111 batch ပစ္စည်းကို အသုံးပြုပြီး မြင့်မားတဲ့သန့်စင်တဲ့ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC ပါဝင်မှု 99.72%၊ free Si 0.05%) မှ ထုတ်လုပ်ထားပါတယ်။ ၎င်းမှာ ထူးခြားတဲ့ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိတွေကို ပေးစွမ်းပါတယ်- ကွေးညွှတ်အား 449 MPa (တိုင်းတာ)၊ elastic modulus 457 GPa (တိုင်းတာ) နှင့် Vickers မာကျောမှု 25–28 GPa (ပုံမှန်)။ သိပ်သည်းဆနည်းခြင်း (3.10–3.15 g/cm³၊ ပုံမှန်) သည် မြန်နှုန်းမြင့် wafer transfer robots များအတွက် သင့်လျော်သော မြင့်မားသော သီးခြားတောင့်တင်းမှုကို ပေးစွမ်းသည်။ 120–150 W/m·K (ပုံမှန်) အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် 4.0–4.5×10⁻⁶/℃ (ပုံမှန်) ၏ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းဖြင့် ဤ end effector သည် အပူကို ထိရောက်စွာ ပျံ့နှံ့စေပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်ကိုင်တွယ်မှု (1600–1700°C အထိ၊ ဝန်မရှိ) အတွင်း အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။ အနက်ရောင်/မီးခိုးရောင်နှင့် ရေစုပ်ယူမှု လုံးဝမရှိခြင်းက cleanroom လိုက်ဖက်ညီမှုကို သေချာစေသည်။
-
အပူချိန်မြင့်နှင့် ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်အတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အခြေခံ ဖုန်စုပ်ချပ်
St.Cera ရဲ့ SiC-အခြေခံ ကြွေချပ်ကို မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှုရှိတဲ့ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (အသုတ် S1111၊ SiC 99.72%၊ အခမဲ့ Si 0.05%) မှ ထုတ်လုပ်ထားပါတယ်။ ၎င်းသည် တိုင်းတာထားသော ကွေးညွှတ်အား 449 MPa၊ ကျိုးပဲ့မှုခံနိုင်ရည် 3.12 MPa·m¹/² နှင့် 457 GPa ၏ elastic modulus ကို ပေးစွမ်းသည်။ ပစ္စည်း၏ ပုံမှန်အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း (120–150 W/m·K) နှင့် အပူပြန့်ကားမှုနည်းခြင်း (4.0–4.5×10⁻⁶/℃) သည် အပူချိန်ကို လျင်မြန်စွာမြင့်တက်စေပြီး အပူလည်ပတ်မှုအတွင်း wafer ကွေးညွှတ်မှုကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ ချပ်ကို porous vacuum chuck (uniform gas flow) သို့မဟုတ် grooved standard chuck အဖြစ် ပြုပြင်နိုင်သည်။ အများဆုံးအသုံးပြုမှုအပူချိန် 1600–1700°C (ဝန်မရှိ) နှင့် ထူးခြားသော plasma erosion ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ဤချပ်သည် အပူချိန်မြင့် wafer လုပ်ဆောင်ခြင်း (annealing၊ RTP) နှင့် alumina chucks များ ယိုယွင်းပျက်စီးသည့် aggressive etch chambers များအတွက် အသင့်တော်ဆုံးဖြစ်သည်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများ ကြွေထည်သယ်ဆောင်ကိရိယာများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
-
မာကျောမှုမြင့်မားသော ಲೇಪခြင်းအသုံးချမှုများအတွက် သတ္တုကျောထောက်နောက်ခံပြု အလူမီနာကြွေ ကြိတ်စက်
St.Cera ရဲ့ သတ္တုအခြေခံ အလူမီနာ ကြိတ်စက်ကွင်းဟာ မြင့်မားတဲ့သန့်စင်မှု အလူမီနာ (99.8% Al₂O₃) ကြွေထည် ဝတ်ဆင်မှုအလွှာနဲ့ တိကျစွာစက်နဲ့ပြုလုပ်ထားတဲ့ သတ္တုအကာ (ပုံမှန်အားဖြင့် အလူမီနီယမ် သို့မဟုတ် သံမဏိ) တို့ကို ပေါင်းစပ်ထားပါတယ်။ ဒီပေါင်းစပ်ဒီဇိုင်းက ကြိတ်ခွဲမျက်နှာပြင်ပေါ်မှာ ကြွေထည်ရဲ့ ထူးခြားတဲ့ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်နဲ့ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မတည်မငြိမ်ဖြစ်မှုကို ပေးစွမ်းပြီး သတ္တုအခြေခံက စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှု၊ တပ်ဆင်ရလွယ်ကူမှုနဲ့ ကြွပ်ဆတ်တဲ့ကျိုးပဲ့မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို ပေါင်းထည့်ပေးပါတယ်။ အလူမီနာအလွှာက 361 MPa ရဲ့ ကွေးညွှတ်ခိုင်ခံ့မှု၊ Vickers ရဲ့ မာကျောမှု 16 GPa နဲ့ 800°C အထိ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းပါတယ်။ သတ္တုအခြေခံကို တပ်ဆင်ပေါက်တွေ၊ တည်နေရာတံတွေ ဒါမှမဟုတ် သံလိုက်ဂုဏ်သတ္တိတွေနဲ့ စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားပြီး လှီးဖြတ်စက်တွေ၊ ဂြိုဟ်ကြိတ်စက်တွေနဲ့ CMP ပစ္စည်းကိရိယာတွေနဲ့ ပေါင်းစပ်အသုံးပြုထားပါတယ်။
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စုံစမ်းစစ်ဆေးရေးစခန်း ပစ္စည်းကိရိယာများအတွက် ကြွေထည် အပိုပစ္စည်းများ
အအေးခံ isostatic ဖိခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် sintered လုပ်ပြီးနောက် တိကျစွာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ඔප දැමීමရှိသော ကြွေထည်အပိုပစ္စည်းများသည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းခြင်းနှင့် insulation တို့၏ အင်္ဂါရပ်များဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ ကြွေထည်များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ vacuum သို့မဟုတ် corrosive gas အခြေအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းအမျိုးအစားများစွာတွင် ကြာရှည်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။
မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အလူမီနာမှုန့်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အအေးခံ isostatic pressing၊ မြင့်မားသောအပူချိန် sintering နှင့် တိကျသောအပြီးသတ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုပြင်ထားပြီး၊ အတိုင်းအတာသည်းခံနိုင်မှု ±0.001 မီလီမီတာ၊ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု Ra 0.1၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။
